[发明专利]半导体装置封装有效
| 申请号： | 201710786249.3 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107808866B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 徐明丰;曾乙修 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 萧辅宽 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 封装 | ||
1.一种半导体装置封装的制作方法，其包括：
提供铜引线框；
在所述铜引线框的表面形成氧化铜化合物层；
将半导体芯片安置在所述氧化铜化合物层上；
在将所述半导体芯片安置在所述氧化铜化合物层上之后，对所述氧化铜化合物层进行表面活化处理，其中所述表面活化处理包括进行等离子清洗以活化所述氧化铜化合物层；以及
在所述氧化铜化合物层上形成包封物，使所述包封物与经活化的所述氧化铜化合物层之间形成氢键，其中所述氧化铜化合物层包括铜(II)(Cu(II))氧化物及铜(I)(Cu(I))氧化物，且所述表面活化处理用来增加所述氧化铜化合物层中铜(I)(Cu(I))氧化物的量。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其中所述氧化铜化合物层是通过前端烘烤处理形成于所述铜引线框的所述表面上。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其中于所述表面活化处理之后，所述氧化铜化合物层的Cu(II)与Cu(I)的比率等于或大于1。
4.根据权利要求1所述的制作方法，还进一步包括在所述等离子清洗期间引入氢气。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其中所述等离子清洗的等离子处理时间介于10秒至600秒范围内，且等离子处理功率介于50瓦至1200瓦范围内。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其中所述表面活化处理包括进行后端烘烤处理。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其中所述后端烘烤处理的处理温度介于150℃到250℃范围内，且所述后端烘烤处理的烘烤处理时间小于或等于48小时。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其中所述表面活化处理包括依序进行后端烘烤处理及所述等离子清洗。
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