[发明专利]半导体装置封装有效
| 申请号： | 201710786249.3 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107808866B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 徐明丰;曾乙修 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 萧辅宽 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 封装 | ||
一种半导体装置封装包含铜引线框、氧化铜化合物层和包封物。所述氧化铜化合物层与所述铜引线框的表面接触。所述氧化铜化合物层包含铜(II)氧化物，且所述氧化铜化合物层的厚度介于约50纳米至约100纳米的范围内。所述包封物与所述氧化铜化合物层的表面接触。
本申请案主张2016年9月9日申请的美国临时申请案第62/385,791号的权益和优先权，所述申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种包含引线框和包封物的半导体装置封装，并涉及在所述引线框与所述包封物之间提供粘附。
背景技术
铜引线框(例如包含至少一些铜的引线框)是一些半导体装置封装中的组件。然而，一些对比性半导体装置封装可能因铜引线框与包封物之间的不佳粘附强度而遭受脱层问题。
发明内容
在一些实施例中，半导体装置封装包含铜引线框、氧化铜化合物层和包封物。所述氧化铜化合物层与所述铜引线框的表面接触。所述氧化铜化合物层包含铜(II)(Cu(II))氧化物，且所述氧化铜化合物层的厚度介于约50纳米至约100纳米的范围内。所述包封物与所述氧化铜化合物层的表面接触。
在一些实施例中，半导体装置封装包含铜引线框、氧化铜化合物层和包封物。所述氧化铜化合物层安置在所述铜引线框的表面上，其中所述氧化铜化合物层包含Cu(II)氧化物和铜(I)(Cu(I))氧化物，且所述氧化铜化合物层的Cu(II)与Cu(I)的比率等于或大于1。所述包封物与所述氧化铜化合物层的表面接触。
在一些实施例中，半导体装置封装包含铜引线框、氧化铜化合物层和包封物。所述氧化铜化合物层安置在所述铜引线框上。所述包封物与所述氧化铜化合物层的表面接触，其中在室温下测量的所述氧化铜化合物层与所述包封物之间的接触界面处的剪切力大体上等于或大于6千克。
附图说明
当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的一些实施例。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且出于论述的清楚起见，各种结构的尺寸可任意增大或减小。
图1是根据本公开的一方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面图。
图2是说明根据本公开的另一方面的在氧化铜化合物层与包封物之间的黏结的一些实施例的示意图。
图3是说明根据本公开的另一方面的制造半导体装置封装的方法的一些实施例的流程图。
图4示出根据本公开的另一方面的剪切力与脱层率的实验结果。
图5示出根据本公开的另一方面的室温下的剪切力的实验结果。
图6示出根据本公开的另一方面的高温下的剪切力的实验结果。
图7是说明根据本公开的另一方面的制造半导体装置封装的方法的一些实施例的流程图。
图8示出根据本公开的另一方面的室温下的剪切力的实验结果。
图9是说明根据本公开的另一方面的制造半导体装置封装的方法的一些实施例的流程图。
图10是说明根据本公开的另一方面的制造半导体装置封装的方法的一些实施例的示意图。
图11示出根据本公开的另一方面的室温下的剪切力的实验结果。
图12示出根据本公开的另一方面的室温下的剪切力的实验结果。
图13示出根据本公开的另一方面的高温下的剪切力的实验结果。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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