[发明专利]用于鳍式场效应晶体管的源极和漏极形成技术

权利要求书

1.一种形成集成电路器件的方法，包括：

在衬底上方形成第一鳍和第二鳍，其中，所述第一鳍和所述第二鳍具有小于25nm的鳍间隔，并且其中，所述第一鳍和所述第二鳍均包括设置在源极区和漏极区之间的沟道区；

在所述第一鳍和所述第二鳍的所述沟道区上方形成栅极结构；以及

仅实施一次循环沉积蚀刻工艺以形成跨越所述第一鳍和所述第二鳍的所述源极区的合并的外延源极部件以及跨越所述第一鳍和所述第二鳍的所述漏极区的合并的外延漏极部件，其中，所述循环沉积蚀刻工艺包括：

在所述第一鳍和所述第二鳍上形成半导体材料的沉积工艺，其中，实施所述沉积工艺直到所述第一鳍和所述第二鳍之间的鳍间隔中的所述半导体材料延伸到所述第一鳍和所述第二鳍的初始高度之上，以及，

用于平坦化所述半导体材料的蚀刻工艺；

所述沉积工艺采用含硅前体和含氯前体，其中，所述含硅前体的流量与所述含氯前体的流量的比率小于5；以及

所述蚀刻工艺采用所述含氯前体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含氯前体包括氯化氢。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积工艺还采用含磷前体。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述合并的外延源极部件和所述合并的外延漏极部件之前凹进所述第一鳍和所述第二鳍。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述合并的外延源极部件和所述合并的外延漏极部件上方形成外延覆盖层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述合并的外延源极部件和所述合并的外延漏极部件之后实施栅极替换工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述合并的外延源极部件和所述合并的外延漏极部件均具有高度均匀的合并部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述合并的外延源极部件和所述合并的外延漏极部件均具有45nm至55nm的横向尺寸，其中，调整所述沉积工艺和所述蚀刻工艺以将所述横向尺寸控制在±7nm。

9.一种形成集成电路器件的方法，包括：

形成包括至少两个鳍的第一器件的鳍结构，所述至少两个鳍具有小于25nm的鳍间隔；以及

在所述鳍结构的源极/漏极区上方形成所述第一器件的外延部件，其中，形成所述外延部件包括：

仅实施一次单沉积工艺以在所述鳍结构上方形成外延层，其中，所述单沉积工艺采用小于5的含源前体的流量与含蚀刻剂前体的流量的比率，其中所述单沉积工艺配置为约束所述外延部件的横向尺寸，使得所述外延部件不延伸进入第二器件对应的外延部件区域、第三器件对应的蚀刻工艺窗口、或所述外延部件区域和所述蚀刻工艺窗口，以及

在所述单沉积工艺之后，对所述外延层仅实施一次单蚀刻工艺。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述单沉积工艺包括从所述至少两个鳍生长半导体材料，其中，从所述至少两个鳍生长的所述半导体材料合并以形成所述外延部件。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括在形成所述外延部件之前凹进所述至少两个鳍。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述含源前体包括硅，所述含蚀刻剂前体包括氯化氢，并且所述单蚀刻工艺采用所述含蚀刻剂前体。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述单沉积工艺还采用含掺杂剂前体。