[发明专利]基板清洗装置有效
申请号: | 201710789385.8 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107790423B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 朴庸硕;赵才衍;朴镐胤;朴康淳;金珉植 | 申请(专利权)人: | 显示器生产服务株式会社 |
主分类号: | B08B3/02 | 分类号: | B08B3/02;B08B3/10;B08B5/02;F28D7/02 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 | ||
1.一种基板清洗装置,其特征在于,包括:
基板清洗部,清洗被污染的基板;
压缩气体供应部,配置在所述基板清洗部外部,并且容纳供应于所述基板清洗部的压缩气体;
超纯水供应部,配置在所述基板清洗部外部,并且容纳供应于所述基板清洗部的超纯水;
排气储罐单元,与所述基板清洗部连接,并且容纳所述基板清洗部产生的排气;
废水储罐单元,与所述基板清洗部连接,并且容纳所述基板清洗部产生的废水;
第一热交换单元,配置在所述排气储罐单元与所述压缩气体供应部之间,对所述排气与所述压缩气体进行热交换;以及
第二热交换单元,配置在所述废水储罐单元与所述超纯水供应部之间,对所述废水与所述超纯水进行热交换;
其中,所述基板清洗部包括:收容被污染的基板的基板收容腔室;运送所述基板的基板运送部;以及清洗所述基板的清洗喷嘴;
其中,所述清洗喷嘴包括:
压缩气体加压部,所述压缩气体经过并进行加压;
超纯水加压部,所述超纯水经过并进行加压;以及
混合部,混合被加压的所述压缩气体与所述超纯水,形成混合流体;
其中,所述超纯水加压部包括第一区间、第二区间以及第三区间,所述超纯水加压部的剖面面积沿着所述第一区间、第二区间以及第三区间依次逐渐变小,由此提高所述混合流体撞击于所述基板的撞击力,所述超纯水通过所述压缩气体以雾化的状态清洗所述基板;
其中,所述压缩气体供应部包括:第一压缩气体供应罐和与所述第一压缩气体供应罐并列配置的第二压缩气体供应罐;
所述基板清洗装置还包括第一加热单元,所述第一加热单元配置于所述第二压缩气体供应罐的内部空间;
其中,所述第一热交换单元包括:
第一蒸发器,用于吸收所述排气的热;
第一压缩器,用于压缩经过所述第一蒸发器的制冷剂;
第一冷凝器,凝结经过所述第一压缩器的制冷剂的同时加热所述压缩气体;以及
第一膨胀阀,膨胀经过所述第一冷凝器的制冷剂;
其中,所述第一蒸发器由具有耐腐蚀性且传热系数高的金属材质制成,用于防止其与排气接触而导致的腐蚀;
从外部流入的压缩气体被同时引入至所述第一压缩气体供应罐及所述第二压缩气体供应罐,以使经过所述第一加热单元的压缩气体和经过所述第一热交换单元的气体混合并供应至所述压缩气体加压部。
2.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述基板清洗装置还包括第二加热单元,
所述第二热交换单元将从外部供应的超纯水加热到第一设定温度,所述第二加热单元将通过所述第二热交换单元加热的超纯水加热到第二设定温度,其中所述第二设定温度高于所述第一设定温度。
3.根据权利要求2所述的基板清洗装置,其特征在于,
供应到所述基板清洗部的超纯水为40℃~90℃,若使用所述第二热交换单元,则耗电量比未使用所述第二热交换单元的情况下的耗电量低40%~85%。
4.根据权利要求2所述的基板清洗装置,其特征在于,
若供应到所述基板清洗部的超纯水的温度为70℃~90℃,则所述第一设定温度为70℃~80℃。
5.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,还包括:
二氧化碳供应器,将二氧化碳供应于所述超纯水,以降低所述超纯水的电阻率。
6.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述压缩气体供应部包括:第二压缩气体输送管,用于引导从外部流入的压缩气体到所述第一压缩气体供应罐或者所述第二压缩气体供应罐;以及第一压缩气体输送管,用于引导从所述第一压缩气体供应罐或者所述第二压缩气体供应罐排放的压缩气体到所述压缩气体加压部。
7.根据权利要求6所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述压缩气体供应部还包括:第一压缩气体控制阀,配置在所述第一压缩气体输送管上,并选择性地引导所述压缩气体;第二压缩气体控制阀,配置在所述第二压缩气体输送管上,并选择性地引导所述压缩气体。
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