[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及相关制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：

基底；

下栅电极，设置在所述基底上并包括多晶硅；

半导体，设置在所述下栅电极上并包括沟道区、分别设置在所述沟道区的相对侧处的源区和漏区、设置在所述沟道区与所述源区之间的第一轻掺杂区以及设置在所述沟道区与所述漏区之间的第二轻掺杂区；

上栅电极，设置在所述半导体上；

源电极，连接到所述半导体的所述源区；以及

漏电极，连接到所述半导体的所述漏区，

其中，所述第一轻掺杂区包括第一侧和第二侧，所述第一侧位于所述第二侧与所述基底之间，并且在平行于基底的方向上所述第一侧的宽度小于所述第二侧的宽度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板还包括设置在所述半导体与所述上栅电极之间的栅极绝缘层，

其中，所述栅极绝缘层的宽度比所述上栅电极的宽度宽。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述半导体包括氧化物半导体材料。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述半导体的表面是结晶化的。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板还包括：

钝化层，设置在所述半导体和所述上栅电极上；

第一接触孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述源区叠置；

第二接触孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述漏区叠置；

第一虚设孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述第一轻掺杂区叠置；以及

第二虚设孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述第二轻掺杂区叠置。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

所述源电极通过所述第一接触孔连接到所述半导体的所述源区，并且

所述漏电极通过所述第二接触孔连接到所述半导体的所述漏区。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区设置为与所述半导体的表面邻近。

8.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，所述制造方法包括：

通过低温多晶硅工艺在基底上形成下栅电极；

在所述下栅电极上形成半导体；

在所述半导体上形成上栅电极；

通过将杂质掺杂在所述半导体中形成未被掺杂的沟道区、以高浓度掺杂的源区和漏区以及以低浓度掺杂的第一轻掺杂区和第二轻掺杂区；

形成连接到所述半导体的所述源区的源电极；以及

形成连接到所述半导体的所述漏区的漏电极，

其中，所述第一轻掺杂区包括第一侧和第二侧，所述第一侧位于所述第二侧与所述基底之间，并且在平行于基底的方向上所述第一侧的宽度小于所述第二侧的宽度。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板的制造方法，所述制造方法还包括：

在所述半导体上形成栅极绝缘层，

其中，所述栅极绝缘层的宽度比所述上栅电极的宽度宽，

所述沟道区与所述上栅电极和所述栅极绝缘层叠置，并且所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区与所述栅极绝缘层叠置。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板的制造方法，其中，

所述半导体包括氧化物半导体材料。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管阵列面板的制造方法，其中，

所述半导体的表面是结晶化的。