[发明专利]一种双绞式共用中心电容阵列及其版图设计方法有效

专利信息
申请号: 201710791860.5 申请日: 2017-09-05
公开(公告)号: CN107612549B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 陈功 申请(专利权)人: 成都易源芯辰微电子科技有限公司
主分类号: H03M1/46 分类号: H03M1/46;G06F30/392
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人: 杨春
地址: 610000 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 双绞式 共用 中心 电容 阵列 及其 版图 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种双绞式共用中心电容阵列,其特征在于,该电容阵列为n=2(M+N)个单位电容组成的2M行2N列电容阵列,以单位电容阵列的共用中心为原点,原点处对应通道为水平通道0,单位电容以水平通道0为对称线呈双绞式对称布局,若干个单位电容组成一个有效位电容,有效位电容包括上极板和下级板,上级板连接地端线网“G”线,下级板连接信号端线网“S”线,偶数位水平通道布线连接有效位电容的上极板;奇数位水平通道布线连接有效位电容的下极板,地端线网“G”线和信号端线网“S”线在水平方向上分别由不同侧面引出。

2.根据权利要求1所述的双绞式共用中心电容阵列,其特征在于,上级板为平直线;下级板为弧线。

3.一种逐次比较ADC电路,其特征在于,包括权利要求1或2所述的双绞式共用中心电容阵列。

4.一种可调增益放大器电路,其特征在于,包括权利要求1或2所述的双绞式共用中心电容阵列。

5.一种陷波滤波器电路,其特征在于,包括权利要求1或2所述的双绞式共用中心电容阵列。

6.一种双绞式共用中心电容阵列版图设计方法,包括n=2(M+N)个单位电容组成的电容阵列,若干个单位电容组成一个有效位电容,有效位电容包括上极板和下级板,其特征在于,所述电容阵列版图设计方法包括以下步骤:

(1)确定电容阵列的行数和列数:

根据版图空间大小,确定电容阵列的行数是2M,电容阵列的列数是2N

(2)确定单位电容布局方法:

以单位电容阵列的共用中心为原点,原点处对应通道为水平通道0,以原点为对称的上、下通道分别记为正、负通道;从靠近共用中心的原点处的行开始,依次将有效位电容按照升序排列布局;组成有效位电容的单位电容以水平通道0为对称线呈双绞式对称布局;

(3)调整单位电容布局方法:

按照水平方向布线,垂直方向电容按照最小设计规则放置,缩小地端线网“G”线所在水平行单位电容间的距离,增大信号端线网“S”线所在水平行单位电容间的距离;

(4)确定单位电容布线方式:

地端线网“G”线和信号端线网“S”线在水平方向上分别由不同的侧面引出,且各行间的通道距离按照通道中“S”线的数目及最小设计规则决定,通道距离按照靠近中心行逐渐递减。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都易源芯辰微电子科技有限公司,未经成都易源芯辰微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710791860.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top