[发明专利]3D NAND存储器件台阶结构及其制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件，包括：衬底以及形成在衬底上的存储阵列区域，存储阵列区域具有台阶结构，所述存储阵列区域包括核心区域和多个分离的分区台阶结构区域，核心区域和分离的分区台阶结构区域在X方向彼此分开一定距离，多个分离的分区台阶结区域构在Y方向彼此间隔一定距离，存储阵列的台阶结构包括核心区域边缘的一维台阶结构以及多个分离的分区台阶结构区域的二维复合立体台阶结构，所述一维台阶结构包括N个台阶，其中N为大于等于2的自然数，其特征在于：

核心区域包括多个存储单元区块(Block)，Y方向上以三个存储单元区块作为一组，分别标记为存储单元区块N、存储单元区块N+1和存储单元区块N+2，其中存储单元区块N+1位于存储单元区块N和存储单元区块N+2之间，每组存储单元区块共用一个分离的分区台阶结构区域，存储单元区块N和存储单元区块N+2镜像对称,存储单元区块N和存储单元区块N+2的存储单元的栅极分别通过相应地核心区域边缘的一维台阶结构以及分离的分区台阶结构的台阶结构上的接触耦合到相应的栅线；存储单元区块N+1的存储单元的栅极不通过该分离的分区台阶结构耦合到栅线。

2.如权利要求1所述的3D NAND存储器件，其中，二维复合立体台阶结构包括在X方向的M个梯级，每个梯级包括在Y方向的多个分区，相邻梯级之间的高度差为N个台阶的高度，相邻分区之间的高度差为1个台阶的高度，其中M为大于等于1的自然数。

3.如权利要求2所述的3D NAND存储器件，其中，核心区域边缘的一维台阶结构的台阶数量与分离的分区台阶结构区域Y方向的分区数量相同。

4.如权利要求2所述的3D NAND存储器件，其中，核心区域边缘的一维台阶结构与分离的分区台阶结构区域的Y方向分区采用相同的掩模利用Trim/Etch方法同步形成。

5.如权利要求1-4中任意一个所述的3D NAND存储器件，其中，核心区域边缘的一维台阶结构的N个台阶对应于存储阵列区域的最远离衬底的N个存储单元。

6.如权利要求1-4中任意一个所述的3D NAND存储器件，其中，核心区域边缘的一维台阶在X方向的台阶数目为3个、4个、6个或8个。

7.一种如权利要求1-4任一项所述的3D NAND存储器件的制作方法，包括：

提供衬底；

在衬底上形成存储阵列的堆叠结构，包括多个N/O薄膜层；

形成第一掩模，采用刻蚀工艺在存储区域上形成核心区域和分离的分区台阶结构区域，其中核心区域和分离的分区台阶结构区域之间间隔一定距离；

通过Trim/Etch工艺，多次修整第一掩模，在核心区域的边缘区域形成一维台阶结构，并在分离的分区台阶结构区域形成Y方向的分区，分离的台阶结构区域在Y方向的分区数量与核心区域的边缘区域的一维台阶结构的台阶数量相同。

8.根据权利要求7所述的制作方法，进一步包括：

形成第二掩模，通过Trim/Etch工艺，在分离的分区台阶结构区域上刻蚀形成X方向的M个梯级，相邻梯级之间的高度差与边缘区域的一维台阶结构的台阶数量相同，其中M为大于等于1的自然数；

其中所述第二掩模覆盖核心区域，避免对核心区域的刻蚀。