[发明专利]一种基于3D封装的片内并联半桥模块

权利要求书

1.一种基于3D封装的片内并联半桥模块，其特征在于它包括：下层直接覆铜基板、中层直接覆铜基板、上层直接覆铜基板、晶体管模块、二极管模块、接线端子。

2.根据权利要求1所述的一种基于3D封装的片内并联半桥模块，其特征在于，中层直接覆铜基板和上层直接覆铜基板采用二次刻蚀工艺，先后分别刻蚀出导电通路图案和导电卡子。

3.根据权利要求1所述的一种基于3D封装的片内并联半桥模块，其特征在于，中层直接覆铜基板的导电铜层图案上焊接有上桥臂的晶体管和二极管，上层直接覆铜基板的导电铜层图案上焊接有下桥臂的晶体管和二极管，焊料采用烧结纳米银。

4.根据权利要求3所述的一种基于3D封装的片内并联半桥模块，其特征在于，选定中层直接覆铜基板的方向为铜层向前，发射极/源极端子同侧向上；上桥臂晶体管、上桥臂二极管，下桥臂晶体管、下桥臂二极管分别分布在中层直接覆铜基板的左下、右上、右下、左上位置。

5.根据权利要求3所述的一种基于3D封装的片内并联半桥模块，其特征在于，上桥臂晶体管和上桥臂二极管互相并联，下桥臂晶体管和下桥臂二极管互相并联。

6.根据权利要求1所述的一种基于3D封装的片内并联半桥模块，其特征在于，下层直接覆铜基板引出发射极/源极端子；中层直接覆铜基板的发射极/源极端子同侧，引出集电极/漏极端子和负载端子；中层直接覆铜基板的发射极/源极端子对侧，引出控制极和测试极端子。

7.根据权利要求1所述的一种基于3D封装的片内并联半桥模块，其特征在于，下层直接覆铜基板和中层直接覆铜基板直接覆铜基板之间，存在穿过中层直接覆铜基板的陶瓷层的通孔，通孔的作用是实现电路电气连接。

8.根据权利要求1所述的一种基于3D封装的片内并联半桥模块，其特征在于，半桥模块上桥臂的晶体管和二极管与上层直接覆铜基板上的导电卡子接触实现电气连接，半桥模块下桥臂的晶体管和二极管与中层直接覆铜基板上的导电卡子接触实现电气连接。

9.根据权利要求1所述的一种基于3D封装的片内并联半桥模块，其特征在于，下层直接覆铜基板和上层直接覆铜基板可以同时连接散热器，实现双面散热。