[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下的工序：

(a)准备布线基板的工序，该布线基板具备：

基体材料，具有第1上表面及所述第1上表面的相反侧的第1下表面，由绝缘材料构成；

第1端子，形成于所述基体材料的所述第1上表面；以及

第1绝缘膜，具有与所述第1上表面对置的第2下表面及所述第2下表面的相反侧的第2上表面，以使所述第1端子露出的方式形成于所述第1上表面，

其中，具有第3下表面及所述第3下表面的相反侧的第3上表面的框部件以所述第2上表面和所述第3下表面相互对置的状态，隔着第1粘接材料而固定于所述第1绝缘膜的所述第2上表面，

所述框部件由包含玻璃纤维的第1树脂构成，

所述框部件的所述第3上表面的粗糙度与所述第1绝缘膜的所述第2上表面的粗糙度相同、或者与所述第2上表面的粗糙度相比不粗糙；

(b)在所述(a)工序之后，将具备具有受光部的主面及所述主面的相反侧的背面的半导体芯片以使所述背面与所述第2上表面对置的方式，隔着管芯键合材料而固定到所述第2上表面的由所述框部件包围的区域的工序；

(c)在所述(b)工序之后，将具有第4下表面及所述第4下表面的相反侧的第4上表面的盖部件以使所述第4下表面与所述第2上表面对置的方式并且以覆盖所述半导体芯片的方式，隔着第2粘接材料而固定到所述框部件的所述第3上表面的工序；以及

(d)在所述(c)工序之后，对所述第2粘接材料照射紫外线而使所述第2粘接材料硬化的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述(a)工序中，包括以下工序：

(a1)将玻璃纤维片浸到树脂层，使所述第1树脂浸渍于所述玻璃纤维片的工序；

(a2)在所述(a1)工序之后，用第1金属膜及第2金属膜夹着含有所述玻璃纤维片的树脂体，对所述第1金属膜及所述第2金属膜和所述树脂体进行压焊的工序；以及

(a3)在所述树脂体硬化之后，分别去掉所述第1金属膜及所述第2金属膜，使所述第3上表面及所述第3下表面露出的工序。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述布线基板具有形成于所述基体材料的所述第1下表面的第2端子，

所述半导体装置的制造方法包括：

(e)在所述(d)工序之后，对所述第2端子接合焊球的工序。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第1绝缘膜不包含玻璃纤维。

5.一种半导体装置，包括：

布线基板，具备：

基体材料，具有第1上表面及所述第1上表面的相反侧的第1下表面，

第1端子，形成于所述基体材料的所述第1上表面，以及

第1绝缘膜，具有与所述第1上表面对置的第2下表面及所述第2下表面的相反侧的第2上表面，以使所述第1端子露出的方式形成于所述第1上表面；

框部件，具有第3下表面及所述第3下表面的相反侧的第3上表面，以所述第1绝缘膜的所述第2上表面和所述第3下表面相互对置的状态，隔着第1粘接材料固定到所述布线基板的所述第1绝缘膜的所述第2上表面；

半导体芯片，具备具有受光部的主面及所述主面的相反侧的背面，以使所述背面与所述第1绝缘膜的所述第2上表面对置的方式，隔着管芯键合材料而固定到所述第2上表面的由所述框部件包围的区域；以及

盖部件，具有第4下表面及所述第4下表面的相反侧的第4上表面，以使所述第4下表面与所述第1绝缘膜的所述第2下表面对置的方式并且以覆盖所述半导体芯片的方式，隔着第2粘接材料而固定到所述框部件的所述第3上表面上，

所述框部件由包含玻璃纤维的第1树脂构成，

所述框部件的所述第3上表面的粗糙度与所述第1绝缘膜的所述第2上表面的粗糙度相同、或者与所述第2上表面的粗糙度相比不粗糙。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述框部件的所述第3上表面的粗糙度与所述半导体芯片的所述背面的粗糙度相同、或者与所述背面的粗糙度相比不粗糙。