[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置在审
申请号: | 201710793111.6 | 申请日: | 2017-09-06 |
公开(公告)号: | CN107818999A | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
发明(设计)人: | 牛山吉孝 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 金春实 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置,涉及适用于在基体材料上搭载的半导体芯片被盖部件覆盖的半导体装置的技术。
背景技术
在日本特开2013-243341号公报(专利文献1)中,记载了用框体以及盖体覆盖在基板上搭载的电子设备的电子零件。另外,在专利文献1中,作为粘接框体和盖体的接合材料的例子,记载了光硬化性树脂、热硬化性树脂等。
另外,在日本特开2002-289718号公报(专利文献2)中,记载了用框体以及盖体覆盖在基板上搭载的固体摄像元件的固体摄像装置。在专利文献2中,记载了经由紫外线硬化性树脂粘接框体的上表面和盖体。另外,在专利文献2中,在作为框体的材料列举的材料中,包含玻璃环氧树脂。
另外,在日本特开2012-217021号公报(专利文献3)中,记载了用框架部件以及光学部件(盖部件)覆盖在基板上搭载的固体摄像元件的固体摄像装置。在专利文献3中,记载了用热硬化性树脂粘接框架部件和基板,用紫外线硬化性树脂粘接框架部件和光学部件。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2013-243341号公报
专利文献2:日本特开2002-289718号公报
专利文献3:日本特开2012-217021号公报
发明内容
例如,作为成像传感器等的安装方式,有利用玻璃板等盖部件覆盖在布线基板上搭载的半导体芯片的半导体装置。在使用如成像传感器具有受光部的半导体芯片的情况下,在半导体装置中,要求以下的结构。即,是能够针对受光部照射可见光的结构以及从外力保护半导体芯片的结构。
作为兼具上述二个结构的构造,优选以下的半导体装置。即,在布线基板上固定的框部件的内侧、即在俯视时用框部件包围的区域内搭载半导体芯片。另外,该半导体芯片被固定到框部件,并且,用由玻璃板那样的可见光透射性的材料构成的盖部件覆盖。上述构造的半导体装置由于能够相互独立地制造框部件和盖部件,所以在制造效率这点上也优选。
但是,根据本申请发明者的研究,判明了在上述构造的半导体装置的情况下,根据提高产品的可靠性等观点,也仍有改善的余地。例如,在布线基板上固定框部件以及盖部件的构造中,在各部件的粘接界面的一部分处粘接材料和部件剥离时,有时成为半导体芯片的可靠性降低的原因。
其他课题和新的特征根据本说明书的记述以及附图将更加明确。
一个实施方式的半导体装置的制造方法包括:在布线基板上固定的框部件的上表面,经由粘接材料固定盖部件的工序;以及对在上述框部件上固定的上述粘接材料照射紫外线而使上述粘接材料硬化的工序。上述布线基板具有基体材料以及覆盖上述基体材料的绝缘膜,上述框部件以及半导体芯片固定到上述绝缘膜的上表面。上述框部件含有玻璃纤维。另外,上述框部件的上表面的粗糙度与上述绝缘膜的上表面的粗糙度相同、或者不比上述绝缘膜的上表面的粗糙度粗。
根据上述一个实施方式,能够提高半导体装置的性能。
附图说明
图1是一个实施方式的半导体装置的俯视图。
图2是表示图1所示的半导体装置的内部构造的俯视图。
图3是沿着图1的A-A线的剖面图。
图4是图3所示的框部件的周边的放大剖面图。
图5是作为针对实施方式的研究例的框部件的上表面的放大剖面图。
图6是图4所示的框部件的上表面以及下表面的放大剖面图。
图7是表示图1~图4所示的半导体装置的装配流程的说明图。
图8是在图7所示的布线基板准备工序中准备的布线基板的俯视图。
图9是沿着图8的A-A线的剖面图。
图10是表示图7所示的框部件装配工序的详细的流程的一个例子的说明图。
图11是接着图10表示框部件装配工序的详细的流程的一个例子的说明图。
图12是表示在图7所示的框部件搭载工序中在布线基板上搭载有框部件的状态的俯视图。
图13是表示在图9所示的布线基板上搭载有半导体芯片的状态的剖面图。
图14是表示对图13所示的半导体芯片以及布线基板连接有导线的状态的剖面图。
图15是表示在图14所示的框部件上涂覆有粘接材料的状态的剖面图。
图16是表示在图15所示的框部件上搭载盖部件并照射紫外线的状态的剖面图。
图17是表示对图16所示的端子接合有焊球的状态的剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的