[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构

权利要求书

1.一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，包括双层水冷腔体、同轴电缆接头、屏蔽罩，所述的屏蔽罩设置在双层水冷腔体的上方；所述的同轴电缆接头设置在屏蔽罩上，其特征在于，在所述的屏蔽罩与双层水冷腔体之间设置一焊接法兰；在焊接法兰的上方设置第一绝缘法兰；在所述的第一绝缘法兰上方设置一接线法兰，在所述的接线法兰上中心设置一中心圆孔，在所述的中心圆孔的上方开设一凹槽，在所述的中心圆孔中设置一进气管；在所述的进气管两侧各设置一电刷；所述的电刷设置在所述的凹槽内；所述的电刷的一端抵住进气管的外侧；所述的电刷的另一端抵住凹槽的两侧；所述的进气管向下依次穿过第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体；在进气管与所述的第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体之间设置一绝缘套。

2.如权利要求1所述的一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，其特征在于，所述的接线法兰的上方设置第二绝缘法兰。

3.如权利要求2所述的一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，其特征在于，在所述的第二绝缘法兰的上方设置一进气法兰。

4.如权利要求3所述的一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，其特征在于，在所述的第二绝缘法兰与进气法兰之间设置第一密封圈。

5.如权利要求4所述的一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，其特征在于，在所述的第二绝缘法兰的下方，在接线法兰的上方设置第二密封圈；在接线法兰的下方；与第一绝缘法兰之间设置第三密封圈。

6.如权利要求5所述的一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，其特征在于，在所述的第一绝缘法兰的下方；在焊接法兰上设置第四密封圈。

7.如权利要求1所述的一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，所述的焊接法兰上设置螺纹孔，与双层水冷腔体进行螺纹连接。

8.如权利要求1所述的一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，在所述的屏蔽罩内部分别设置第一绝缘法兰、接线法兰、第二绝缘法兰、进气法兰；并通过螺栓连接将第一绝缘法兰、接线法兰、第二绝缘法兰、进气法兰固定在焊接法兰上。