[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构

说明书

本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，包括双层水冷腔体、同轴电缆接头、屏蔽罩，屏蔽罩设置在双层水冷腔体的上方；同轴电缆接头设置在屏蔽罩上，在屏蔽罩与双层水冷腔体之间设置一焊接法兰；焊接法兰的上方设置第一绝缘法兰；第一绝缘法兰上方设置一接线法兰，接线法兰上中心设置一中心圆孔，在其的上方开设一凹槽，设置一进气管；在其两侧各设置一电刷；设置在凹槽内；电刷的一端抵住进气管的外侧；电刷的另一端抵住凹槽的两侧；进气管向下依次穿过第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体；在进气管与第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体之间设置一绝缘套；解决了射频信号引入失效的问题。

技术领域

本发明涉及射频信号引入结构，尤其涉及一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积的制作方法，是在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法。等离子体增强化学气相沉积是：在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。

为了在现有的技术条件下，在现有的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备中，为了增强等离子体增强化学气相沉积速度，采用射频激发的激发辉光放电的方法，但是在现有技术中对于采用射频激发的激发辉光放电的方法的过程中，常导致在射频激发的过程中由于射频信号在引入的过程中，在引入的结构上的缺陷，常造成在射频信号与外部的壳体、法兰等部件在密封不良的状态下工作，使得射频信号无法真正到达等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的腔室内，造成射频信号引入失效。

发明内容

本发明的目的是根据上述现有技术的不足之处，本发明目的实现一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，包括双层水冷腔体、同轴电缆接头、屏蔽罩，所述的屏蔽罩设置在双层水冷腔体的上方；所述的同轴电缆接头设置在屏蔽罩上，其特征在于，在所述的屏蔽罩与双层水冷腔体之间设置一焊接法兰；在焊接法兰的上方设置第一绝缘法兰；在所述的第一绝缘法兰上方设置一接线法兰，在所述的接线法兰上中心设置一中心圆孔，在所述的中心圆孔的上方开设一凹槽，在所述的中心圆孔中设置一进气管；在所述的进气管两侧各设置一电刷；所述的电刷设置在所述的凹槽内；所述的电刷的一端抵住进气管的外侧；所述的电刷的另一端抵住凹槽的两侧；所述的进气管向下依次穿过第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体；在进气管与所述的第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体之间设置一绝缘套。

进一步所述的接线法兰的上方设置第二绝缘法兰。

进一步在所述的第二绝缘法兰的上方设置一进气法兰。

进一步在所述的第二绝缘法兰与进气法兰之间设置第一密封圈。

进一步在所述的第二绝缘法兰的下方，在接线法兰的上方设置第二密封圈；在接线法兰的下方；与第一绝缘法兰之间设置第三密封圈。

进一步在所述的第一绝缘法兰的下方；在焊接法兰上设置第四密封圈。

进一步所述的焊接法兰上设置螺纹孔，与双层水冷腔体进行螺纹连接。

进一步在所述的屏蔽罩内部分别设置第一绝缘法兰、接线法兰、第二绝缘法兰、进气法兰；并通过螺栓连接将第一绝缘法兰、接线法兰、第二绝缘法兰、进气法兰固定在焊接法兰上。

本发明专利的技术效果主要在于，采用上述的等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，解决了在射频信号引入的过程中，射频信号在与法兰、壳体等部件接触而造成失效的技术问题。

附图说明