[发明专利]光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模的制造方法，该光掩模具有对在透明基板上形成的遮光膜和半透光膜分别进行图案形成而形成的转印用图案，该转印用图案具有透光部、半透光部和遮光部，其特征在于，该光掩模的制造方法具有：

遮光膜图案形成工序，对所述透明基板上形成的遮光膜进行图案形成来形成遮光膜图案；

半透光膜形成工序，在包含所述遮光膜图案的所述透明基板上形成半透光膜；

透光部形成工序，部分地去除所述半透光膜、或所述半透光膜和所述遮光膜，从而形成所述透光部；以及

半透光膜去除工序，去除所述遮光膜图案上的所述半透光膜，

所述遮光膜在表面侧具有防反射层，

在所述半透光膜去除工序中，在成为所述半透光部的区域中形成抗蚀剂图案，

所述抗蚀剂图案在所述半透光部和所述遮光部相邻的部分中，在所述遮光部侧具有附加了规定尺寸的余裕的尺寸，

当设所述余裕的尺寸为M1，设与所述半透光部相邻的所述遮光部的尺寸为S时，满足M1≤0.5S，其中M1、S的单位为μm。

2.一种光掩模的制造方法，该光掩模具备对在透明基板上形成的遮光膜和半透光膜分别进行图案形成而形成的转印用图案，该转印用图案具有透光部、半透光部和遮光部，其特征在于，该光掩模的制造方法具有：

遮光膜图案形成工序，对所述透明基板上形成的遮光膜进行图案形成来形成遮光膜图案；

半透光膜形成工序，在包含所述遮光膜图案的所述透明基板上形成半透光膜；

透光部形成工序，通过对所述半透光膜进行图案形成，形成所述透光部，并且去除所述遮光膜图案上的所述半透光膜，

所述遮光膜在表面侧具有防反射层，

在所述透光部形成工序中，在成为所述半透光部的区域中形成抗蚀剂图案，

所述抗蚀剂图案在所述半透光部和所述遮光部相邻的部分中，在所述遮光部侧具有附加了规定尺寸的余裕的尺寸，

当设所述余裕的尺寸为M1，设与所述半透光部相邻的所述遮光部的尺寸为S时，满足M1≤0.5S，其中M1、S的单位为μm。

3.根据权利要求2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

在所述透光部形成工序中，仅对所述半透光膜进行图案形成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

0.2M1。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

0.2M1≤0.3S。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述遮光膜在表面侧具有防反射层，所述遮光膜的针对曝光光的代表波长的光反射率小于30％。

7.根据权利要求6所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

将所述遮光膜和所述半透光膜层叠起来时的针对曝光光的代表波长的光反射率为35％以上。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述遮光膜和所述半透光膜能够通过相同的蚀刻剂进行蚀刻，且所述半透光膜的蚀刻所需时间HT与所述遮光膜的蚀刻所需时间OT之比HT：OT为1：3～1：20。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述遮光膜和所述半透光膜能够通过相同的蚀刻剂进行蚀刻，且所述遮光膜的平均蚀刻速率OR与所述半透光膜的蚀刻速率HR之比OR：HR为1.5：1～1：5。

10.根据权利要求1～3中任一项所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述半透光膜针对曝光光的代表波长具有3％～60％的透射率。