[发明专利]在管芯之间的多个互连件

权利要求书

1.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：

基板；

具有安装到所述基板的第一主表面的第一多个倒装芯片凸块的第一倒装芯片管芯，所述第一多个倒装芯片凸块具有从所述第一倒装芯片管芯的对应接合垫到第一多个倒装芯片凸块的顶部测量的凸块高度；

具有安装到所述基板的所述第一主表面的第二多个倒装芯片凸块的第二倒装芯片管芯，所述第二多个倒装芯片凸块具有从所述第二倒装芯片管芯的对应接合垫到第二多个倒装芯片凸块的顶部测量的所述凸块高度，所述第二倒装芯片管芯在所述第一主表面上横向地相邻于所述第一倒装芯片管芯；以及

在所述第一倒装芯片管芯上的第一接合垫和所述第二倒装芯片管芯上的第二接合垫之间形成的线接合；所述线接合具有从所述第一接合垫和所述第二接合垫中的对应接合垫到所述线接合的弓部测量的线接合高度；所述线接合高度小于所述凸块高度；其中

所述线接合不接触所述基板的所述第一主表面。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，

所述第一倒装芯片管芯具有安装到所述基板的所述第一主表面的第一有源侧，

所述第二倒装芯片管芯具有安装到所述基板的所述第一主表面的第二有源侧，

所述第一接合垫位于所述第一有源侧上，并且

所述第二接合垫位于所述第二有源侧上。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其特征在于：

所述第一多个倒装芯片凸块结合到在所述第一倒装芯片管芯的所述第一有源侧上的垫并结合到在所述基板的所述第一主表面上的垫。

4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，进一步包括：

倒装芯片互连件，所述倒装芯片互连件在结合到所述第一倒装芯片管芯的第一倒装芯片凸块与结合到所述第二倒装芯片管芯的第二倒装芯片凸块之间的所述基板的基板层中形成。

5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，进一步包括：

接地平面，所述接地平面在非常接近于所述线接合的所述基板的基板层中形成。

6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，进一步包括：

载体，所述载体附接到所述第一倒装芯片管芯的背侧并附接到所述第二倒装芯片管芯的背侧。

7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，进一步包括：

安装到所述基板的所述第一主表面的第三倒装芯片管芯，所述第三倒装芯片管芯在所述第一主表面上横向地相邻于所述第一倒装芯片管芯；以及

在所述第一倒装芯片管芯上的第三接合垫和所述第三倒装芯片管芯上的第四接合垫之间形成的第二线接合。

8.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：

具有第一有源侧、第一连通边缘和第一多个线接合垫的第一管芯，所述第一多个线接合垫位于靠近所述第一连通边缘的所述第一有源侧上；

具有第二有源侧、第二连通边缘和第二多个线接合垫的第二管芯，所述第二多个线接合垫位于靠近所述第二连通边缘的所述第二有源侧上，所述第二连通边缘与所述第一连通边缘非常接近并相邻；

在所述第一多个线接合垫中的多者和所述第二多个线接合垫中的多者之间形成的多个线接合互连件；所述多个线接合互连件具有从所述第一接合垫和所述第二接合垫中的对应接合垫到所述线接合互连件的弓部测量的线接合高度；以及

多个倒装芯片凸块，每个所述倒装芯片凸块结合到在所述第一有源侧和第二有源侧上的接合垫，所述多个倒装芯片凸块具有从对应的所述接合垫到所述倒装芯片凸块的顶部测量的凸块高度；其中

所述线接合高度小于所述凸块高度。

9.一种用于制造具有高密度互连件的半导体封装装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

在第一管芯的有源侧上的第一多个线接合垫中的多者与在第二管芯的有源侧上的第二多个线接合垫中的多者之间形成多个线接合，其中

所述第一管芯和第二管芯的所述有源侧各自进一步包括具有附接的倒装芯片凸块的多个凸起接合垫，每个附接的倒装芯片凸块具有从凸起接合垫的顶部到倒装芯片凸块的顶部测量的凸块高度；并且

所述多个线接合中的每个具有从线接合垫的顶部到线接合的弓部的顶部测量的线接合高度；所述线接合高度小于所述附接的倒装芯片凸块中的每个的凸块高度；以及

在形成所述多个线接合之后，将所述第一管芯和所述第二管芯的所述有源侧安装到基板的第一主表面，其中

所述安装将所述倒装芯片凸块结合到在所述第一主表面上的接触垫，以及所述线接合不接触所述第一主表面。