[发明专利]等离子体蚀刻方法在审
| 申请号： | 201710794831.4 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107808824A | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 依田悠;神户乔史 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,程采 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括：
向内表面的至少一部分由含铝物形成的处理容器内搬入基板的工序，该基板具有下层Ti膜、Al膜和上层Ti膜叠层而成的Ti/Al/Ti叠层膜，并且在其上形成有图案化的抗蚀剂层；和
蚀刻工序，生成包含含氯气体的蚀刻气体和氮气的等离子体，以所述抗蚀剂层为掩模，利用所述等离子体对所述Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻。
2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
将所述蚀刻气体和所述氮气供给到所述处理容器内，在所述处理容器内进行等离子体化。
3.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
在所述蚀刻工序中，利用经等离子体化的所述氮气，将所述处理容器的内表面的所述含铝物氮化。
4.如权利要求1至3中任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
在所述蚀刻工序中，使由所述氮气的等离子体灰化而得到的所述抗蚀剂层的成分堆积在所述处理容器的内表面。
5.如权利要求1至4中任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
作为所述蚀刻气体使用含氯气体和不活泼气体。
6.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
所述含氯气体包括氯气和三氯化硼气体。
7.如权利要求1至6中任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
所述含氯气体的流量与所述氮气的流量比在6:1～10:1的范围。
8.如权利要求1至7中任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：
所述处理容器的内表面的含铝物是将铝阳极氧化而形成的阳极氧化覆膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
