[发明专利]等离子体蚀刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及等离子体蚀刻方法

背景技术

FPD(平板显示器，Flat Panel Display)所使用的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)通过在玻璃基板等基板上将栅极电极和栅极绝缘膜、半导体层等边图案化边依次叠层而形成。

例如在制造通道蚀刻型的底栅侧构造的TFT时，在玻璃基板上依次形成栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体膜，之后在氧化物半导体膜之上形成金属膜，之后，对该金属膜进行等离子体蚀刻，由此形成源极电极和漏极电极。作为源极电极和漏极电极的金属膜大多使用Ti/Al/Ti叠层膜，在专利文献1中记载了使用Cl₂气体和BCl₃气体作为形成Ti/Al/Ti叠层膜时的蚀刻气体。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2000-235968号公报

但是，在进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，作为进行处理的处理容器(腔室)使用内表面经过阳极氧化处理的铝，利用阳极氧化覆膜赋予耐腐蚀性，但是在使用专利文献1所示的Cl₂气体和BCl₃气体那样的含氯气体作为蚀刻气体时，腔室内壁的阳极氧化覆膜被蚀刻而消耗，可以判断若反复进行处理就会导致阳极氧化覆膜消失。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于提供一种等离子体蚀刻方法，在内表面具有阳极氧化覆膜等含铝物的处理容器内，使用含氯气体对Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻时，能够抑制含铝物的消耗。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其包括：向内表面的至少一部分由含铝物形成的处理容器内搬入基板的工序，上述基板具有下层Ti膜、Al膜和上层Ti膜叠层而成的Ti/Al/Ti叠层膜，并且在其上形成有经图案化的抗蚀剂层；和蚀刻工序，生成包含含氯气体的蚀刻气体和氮气的等离子体，以上述抗蚀剂层为掩模，利用上述等离子体对上述Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻。

本发明中，可以将上述蚀刻气体和上述氮气供给到上述处理容器内，在上述处理容器内进行等离子体化。

在上述蚀刻工序中，能够利用等离子体化的上述氮气，将上述处理容器的内表面的上述含铝物氮化。另外，在上述蚀刻工序中，能够使由上述氮气的等离子体灰化的上述抗蚀剂层的成分堆积在上述处理容器的内表面。

作为上述蚀刻气体，可以使用含氯气体和不活泼气体。另外，上述含氯气体可以包括氯气和三氯化硼气体。

上述含氯气体的流量与上述氮气的流量比优选在6:1～10:1的范围。

上述处理容器的内表面的含铝物可以是将铝阳极氧化而形成的阳极氧化覆膜。

发明的效果

根据本发明，生成包含含氯气体的蚀刻气体和氮气的等离子体，以抗蚀剂层为掩模，利用生成的等离子体对Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻，所以，能够利用氮气的等离子体的作用，抑制含铝物的消耗。

附图说明

图1是表示用于实施本发明的实施方式所涉及的等离子体蚀刻方法的等离子体蚀刻装置的截面图。

图2是表示由图1的等离子体蚀刻装置实施的本发明的实施方式所涉及的等离子体蚀刻方法的流程图。

图3是表示本发明的实施方式所涉及的等离子体蚀刻方法中使用的基板的构造的截面图。

图4是表示在图3的构造的基板中对Ti/Al/Ti叠层膜进行蚀刻后的状态的截面图。

图5是用于说明利用N₂气体的等离子体抑制阳极氧化覆膜的消耗的机理的图。

图6是表示实验例1中的腔室壁部的Si芯片的粘贴位置的图。

图7是表示在实验例1中，不添加N₂气体的情况和添加了N₂气体的情况下进行了等离子体蚀刻时的图6的各位置的Si芯片的削除量的图。

图8是表示测定实验例2中的腔室壁部的阳极氧化覆膜的膜厚的位置的图。

图9是表示在实验例2中，不添加N₂气体的情况和添加了N₂气体的情况下进行了等离子体蚀刻时的图8的各位置的覆膜厚度的变化量的图。

附图标记说明