[发明专利]晶片传送装置、晶片处理系统及方法

权利要求书

1.一种晶片传送装置，其特征在于，包括：

机械臂，用于传送晶片；以及

托架，安装在所述机械臂上并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角，所述圆弧导角在水平方向上往远离所述晶片的边缘的方向延伸，所述定位凹槽的深度介于0.48毫米至0.52毫米之间，且所述托架的最大厚度介于2.48毫米至2.52毫米之间。

2.根据权利要求1所述的晶片传送装置，所述托架的最大厚度与所述定位凹槽的深度的比率介于4.85至5.17之间。

3.根据权利要求1所述的晶片传送装置，所述托架还包括透气凹槽，位于所述定位凹槽内，所述透气凹槽的深度大于所述定位凹槽的深度，所述晶片承靠于所述定位凹槽的底面。

4.一种晶片处理系统，其特征在于，包括：

处理腔室；

晶片装载匣，用于装载晶片；

晶片传送装置，包括：

机械臂，移动于所述处理腔室与所述晶片装载匣之间；以及

托架，安装在所述机械臂上并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，其中所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角，所述圆弧导角在水平方向上往远离所述晶片的边缘的方向延伸，所述定位凹槽的深度介于0.48毫米至0.52毫米之间，且所述托架的最大厚度介于2.48毫米至2.52毫米之间。

5.根据权利要求4所述的晶片处理系统，所述托架的最大厚度与所述定位凹槽的深度的比率介于4.85至5.17之间。

6.根据权利要求4所述的晶片处理系统，所述处理腔室包括快速高温处理腔室。

7.一种晶片处理系统，其特征在于，包括：

晶片装载匣，包括用于容纳晶片的插槽；以及

晶片传送装置，包括托架，其用于伸入所述插槽内以拾取所述晶片并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，所述定位凹槽的深度介于0.48毫米至0.52毫米之间，且所述托架的最大厚度介于2.48毫米至2.52毫米之间，其中所述托架还包括透气凹槽，位于所述定位凹槽内，且所述晶片承靠于所述定位凹槽与所述透气凹槽之间的区域。

8.根据权利要求7所述的晶片处理系统，其中所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角。

9.根据权利要求7所述的晶片处理系统，其中所述晶片传送装置还包括机械臂，所述托架安装在所述机械臂的悬臂端上。

10.根据权利要求7所述的晶片处理系统，其中所述定位凹槽的深度介于所述托架的最大厚度以及所述透气凹槽的深度之间。

11.根据权利要求7所述的晶片处理系统，其中所述托架的材料包括石英。

12.根据权利要求7所述的晶片处理系统，其中所述晶片装载匣包括多个插槽，所述插槽为所述多个插槽的其中之一。

13.根据权利要求7所述的晶片处理系统，其中所述托架用于将晶片移动于所述晶片装载匣与快速高温处理腔室之间。

14.一种晶片处理系统，其特征在于，包括：

晶片装载匣，包括用于容纳晶片的插槽；以及

晶片传送装置，包括托架，其用于以延伸深度伸入所述插槽内以将所述晶片移入及移出所述插槽，定位凹槽的深度介于0.48毫米至0.52毫米之间，且所述托架的最大厚度介于2.48毫米至2.52毫米之间，其中所述托架用于将所述晶片定位于所述托架的定位凹槽内，其中所述托架还包括透气凹槽，位于所述定位凹槽内，且所述晶片承靠于所述定位凹槽与所述透气凹槽之间的区域。