[发明专利]高分子薄膜极化方法、承载组件和高分子薄膜极化装置

权利要求书

1.一种高分子薄膜极化方法，其特征在于：包括：

提供高分子薄膜器件，所述高分子薄膜器件包括基底以及设置在基底一表面的高分子薄膜；

将高分子薄膜器件放置在接地的可导电载板上且将高分子薄膜靠近基底的表面与载板电性连接；

提供掩板，所述掩板上设置有开口并能与载板盖合以将高分子薄膜器件中待极化的高分子薄膜在掩板开口处露出，并且在极化前，所述掩板与所述高分子薄膜之间预留一空隙，所述掩板的介电强度大于14Mv/m；

在所述高分子薄膜远离所述基底的表面的上方设置电场组件，对露出的高分子薄膜进行极化，所述掩板设置在所述载板和所述电场组件之间，在极化过程中，随着极化电荷的移动，所述掩板逐渐带电以与所述高分子薄膜器件吸附贴合，以防止极化过程中电荷通过所述掩板与所述高分子薄膜器件之间的空隙。

2.如权利要求1所述的高分子薄膜极化方法，其特征在于：所述高分子薄膜原位形成在基底上。

3.一种高分子薄膜极化装置，其特征在于：所述高分子薄膜极化装置包括电场组件和承载组件，所述承载组件用于在极化过程中承载高分子薄膜器件，所述高分子薄膜器件包括基底以及设置在基底一表面的高分子薄膜，所述承载组件包括载板和掩板，所述载板用于承载高分子薄膜器件且与所述基底接触并接地设置，所述掩板设置在所述载板和所述电场组件之间，所述掩板上设置有开口并能与载板盖合以将高分子薄膜器件中待极化的高分子薄膜在掩板开口处露出；所述电场组件设置在所述高分子薄膜远离所述基底的表面的上方，用于对露出的高分子薄膜进行极化；

在极化之前，所述掩板与所述高分子薄膜之间预留一空隙；所述掩板的介电强度大于14Mv/m，在极化过程中，随着极化电荷的移动，所述掩板逐渐带电以与所述高分子薄膜器件吸附贴合，以防止极化过程中电荷通过所述掩板与所述高分子薄膜器件之间的空隙；

当所述基底为不导电基底时，所述承载组件进一步包括导电组件，所述导电组件一端与载板电性连接，另一端能与高分子薄膜的靠近不导电基底的表面电性连接；当所述基底为导电基底时，所述载板与导电基底相接触。

4.如权利要求3所述的高分子薄膜极化装置，其特征在于：当所述基底为不导电基底时，所述导电组件包括设置在不导电基底的靠近高分子薄膜的表面上的导电块，所述导电块与高分子薄膜的靠近不导电基底的表面及载板电性连接，所述导电块设置在不导电基底的表面上且没有设置高分子薄膜的边缘区域且被掩板所遮盖。

5.如权利要求4所述的高分子薄膜极化装置，其特征在于：所述高分子薄膜靠近不导电基底的表面上设置有电极，所述电极与导电块连接。

6.如权利要求4所述的高分子薄膜极化装置，其特征在于：所述导电组件进一步包括导电件，所述导电件一端位于导电块和掩板之间并与导电块连接，另一端位于掩板和载板之间并与载板连接。

7.如权利要求6所述的高分子薄膜极化装置，其特征在于：所述导电件为导电泡沫片。

8.如权利要求6所述的高分子薄膜极化装置，其特征在于：所述导电件设置在掩板靠近载板的表面上和/或载板靠近掩板的表面上。