[发明专利]高分子薄膜极化方法、承载组件和高分子薄膜极化装置

说明书

本发明涉及薄膜技术领域，尤其涉及一种高分子薄膜极化的方法、承载组件和高分子薄膜极化装置。本发明的高分子薄膜极化方法通过将高分子薄膜靠近不导电基底的表面与载板电性连接，在极化过程中，高分子薄膜上产生的极化电流会通过载板流出，防止高分子薄膜在极化过程中被击穿，有效提高了极化膜的生产合格率，并且可以实现大规模生产，而且制得的极化膜具有较强的压电效应和较长的使用寿命。

【技术领域】

本发明涉及薄膜技术领域，尤其涉及一种高分子薄膜极化方法、承载组件和高分子薄膜极化装置。

【背景技术】

极化是薄膜材料处理中的一个重要环节，主要目的是使薄膜材料中杂乱取向的分子偶极矩获得特定方向(如极化电场方向)的一致取向，从而使该薄膜材料具有压电性能。

薄膜极化通常直接将薄膜材料置于电极之间，利用电极产生的高压电场完成极化，但是在极化过程中非常容易将薄膜材料击穿，生产合格率很低，基本不能大规模生产。

【发明内容】

针对现有薄膜极化生产合格率低的问题，本发明提供一种高分子薄膜极化的方法、承载组件和高分子薄膜极化装置。

本发明解决技术问题的方案是提供一种高分子薄膜极化方法，包括：提供高分子薄膜器件，所述高分子薄膜器件包括基底以及设置在基底一表面的高分子薄膜；将高分子薄膜器件放置在接地的可导电载板上且将高分子薄膜靠近基底的表面与载板电性连接；提供掩板并将掩板与载板盖合使需要极化的高分子薄膜露出；对露出的高分子薄膜进行极化。

优选地，所述高分子薄膜原位形成在基底上。

本发明还提供一种承载组件，其用于在极化过程中承载高分子薄膜器件，所述高分子薄膜器件包括基底以及设置在基底一表面的高分子薄膜，所述承载组件包括载板和掩板，所述载板为接地的可导电载板，用于承载高分子薄膜器件，所述掩板上设置有开口并可与载板盖合以将高分子薄膜器件中待极化的高分子薄膜在掩板开口处露出，当所述基底为不导电基底时，所述承载组件进一步包括导电组件，所述导电组件一端与载板电性连接，另一端可与高分子薄膜靠近不导电基底的表面电性连接；当所述基底为导电基底时，所述载板与导电基底相接触。

优选地，当所述基底为不导电基底时，所述导电组件包括设置在不导电基底靠近高分子薄膜表面上的导电块，所述导电块与高分子薄膜靠近不导电基底的表面及载板电性连接，所述导电块设置在不导电基底没有设置高分子薄膜的表面的边缘区域且被掩板所遮盖。

优选地，所述高分子薄膜靠近不导电基底的表面上设置有电极，所述电极与导电块连接。

优选地，所述导电组件进一步包括导电件，所述导电件一端位于导电块和掩板之间并与导电块连接，另一端位于不导电基底和载板之间并与载板连接。

优选地，所述导电件为导电泡沫片。

优选地，所述导电件设置在掩板靠近载板的表面上和/或载板靠近掩板的表面上。

优选地，所述掩板的介电强度大于14Mv/m。

本发明还提供一种高分子薄膜极化装置，所述高分子薄膜极化装置包括电场组件和如上所述的承载组件，所述电场组件设置在高分子薄膜远离基底的表面的上方，所述电场组件用于对露出的高分子薄膜进行极化。

与现有技术相比，本发明的高分子薄膜极化方法通过将高分子薄膜靠近基底的表面与载板电性连接，在极化过程中，高分子薄膜上产生的极化电流会通过载板流出，防止高分子薄膜在极化过程中被击穿，有效提高了极化膜的生产合格率，并且可以实现大规模生产，而且制得的极化膜具有较强的压电效应和较长的使用寿命。

进一步的，所述高分子薄膜原位形成在基底上，使得极化后的高分子薄膜在应用到压电感测装置上时会使其具有良好的分辨率。