[发明专利]一种柔性多层透明导电氧化物薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及功能薄膜技术领域，具体是一种柔性多层透明导电氧化物薄膜。

背景技术

柔性透明有机光电器件在我们日常生活中有广阔的应用前景，其关键组成之一就是性能优异的柔性透明底电极和顶电极，且要求顶电极的制备不能破坏器件的有机活性层。迄今为止，应用最广泛的透明电极材料为铟锡氧化物(ITO )，但ITO中的铟元素在自然界中的含量少、价格高，且ITO质地脆、不耐弯折，制备条件苛刻，己不能满足柔性透明光电器件的要求。因此，研制出替代ITO的新型高性能的透明导电薄膜有着重要的意义和价值。

近年来，多层透明导电薄膜受到人们的广泛关注，它可在室温下制备、成本低、柔韧性好、导电性高、选材范围广，是一种较为理想的柔性透明电极，在有机光电器件的应用中展现出了一定的潜力。面向透明柔性光电器件的要求，目前具有高柔韧性、高湿热稳定性、功函数可调的多层透明导电电极还比较缺乏。

发明内容

本发明的目的在于提供一种柔性多层透明导电氧化物薄膜，该薄膜成本低廉且性能优良，适于柔性基底使用。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种柔性多层透明导电氧化物薄膜，包括由下至上依次设置在柔性基底的下SiO₂膜层、Ag膜层与上SiO₂膜层，所述上、下SiO₂膜层的厚度均为15～60nm，所述Ag膜层的厚度为6～20nm。

进一步的，所述柔性基底为聚乙烯醇薄膜、聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜。

本发明的有益效果是，Ag薄膜在可见光区具有优异的反射性能，利用诱导透射原理，通过合理的SiO₂匹配可以在一定的光谱范围内实现很好的增透效果，成为SiO₂/Ag/SiO₂透明导电复合薄膜，且成本低廉，适于柔性基底使用。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：

图1是本发明的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，本发明提供一种柔性多层透明导电氧化物薄膜，包括由下至上依次设置在柔性基底1的下SiO₂膜层2、Ag膜层3与上SiO₂膜层4，所述上、下SiO₂膜层的厚度均为15～60nm，所述Ag膜层3的厚度为6～20nm。所述柔性基底1为聚乙烯醇薄膜、聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜。

在制备时，可采用磁控溅射的方式制备SiO₂膜层，对于Ag膜层采用电子束蒸发技术制备，实现透明导电SiO₂/Ag/SiO₂复合薄膜，具有更好的透过率和导电性能。SiO₂膜层与Ag膜层之间浸润性良好，不需要金属过渡层，且成本低廉，适合工业化生产。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。