[发明专利]一种半导体存储器的器件结构

权利要求书

1.一种半导体存储器的晶体管结构，其特征在于，包括：

有源区，具有多个沟槽与一衬底表面，所述沟槽的开口朝向所述衬底表面；

多个栅极组件，埋设于所述有源区的所述沟槽内，其中所述衬底表面包含分别位于所述栅极组件外侧的源区及位于所述栅极组件之间的漏区；

节点接触，设在所述源区上；

位线接触，设在所述漏区上，以与所述半导体存储器的位线相连，且两组所述节点接触通过相邻的所述栅极组件共用所述位线接触；

其中，所述有源区的所述漏区具有一由所述位线接触往内的第一离子植入层，所述有源区的所述源区具有一由所述节点接触往内的第二离子植入层，所述第一离子植入层的第一深度大于所述第二离子植入层的第二深度。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器的晶体管结构，其特征在于：所述第一离子植入层和所述第二离子植入层的浓度由表面向内递减呈梯度变化，所述第一离子植入层的掺杂浓度高于所述第二离子植入层的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器的晶体管结构，其特征在于：所述第一离子植入层和所述第二离子植入层的掺杂类型均为N型，所述有源区在所述第一离子植入层和所述第二离子植入层之外的底层部位的掺杂类型为P型。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器的晶体管结构，其特征在于：所述栅极组件凹入所述有源区的深度深于所述第一离子植入层的第一深度并深于所述第二离子植入层的第二深度。

5.根据权利要求1至4任一项中所述的半导体存储器的晶体管结构，其特征在于：所述栅极组件由外至内依次包括栅介质层、金属衬垫层及栅电极。

6.一种半导体存储器的器件结构，其特征在于，包括：

有源区、埋入所述有源区并贯穿所述有源区的字线、及位于所述有源区上的位线；

其中，

所述有源区设有至少两个埋入式晶体管；所述埋入式晶体管的栅极组件埋入所述有源区内，与所述字线一体成型；所述埋入式晶体管的源区和漏区分别位于所述栅极组件的外侧与所述栅极组件之间，在所述源区上方用以与电容器相连，在所述漏区上方用以与所述位线相连；且相邻两个所述埋入式晶体管共用一个位线接触；

其中，所述漏区具有一往内植入的第一离子植入层，所述源区具有一往内植入的第二离子植入层，所述第一离子植入层的第一深度大于所述第二离子植入层的第二深度，以提供J形晶体管沟道。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器的器件结构，其特征在于：所述第一离子植入层和所述第二离子植入层的浓度由表面向内递减呈梯度变化，所述第一离子植入层的掺杂浓度高于所述第二离子植入层的掺杂浓度。

8.根据权利要求6所述的半导体存储器的器件结构，其特征在于：所述第一离子植入层和所述第二离子植入层的掺杂类型均为N型，所述有源区在所述第一离子植入层和所述第二离子植入层之外的底层部位的掺杂类型为P型。

9.根据权利要求6所述的半导体存储器的器件结构，其特征在于：所述栅极组件凹入所述有源区的深度深于所述第一离子植入层的第一深度并深于所述第二离子植入层的第二深度。

10.根据权利要求6至9项任一项中所述的半导体存储器的器件结构，其特征在于：所述栅极组件由外至内依次包括栅介质层、金属衬垫层及栅电极。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器的器件结构，其特征在于：所述栅极组件表面设有绝缘盖帽层。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器的器件结构，其特征在于：所述绝缘盖帽层覆盖所述栅介质层、所述金属衬垫层及所述栅电极的顶部，所述栅介质层与所述金属衬垫层的顶部持平，所述栅电极的顶部高于所述栅介质层与所述金属衬垫层的顶部，且嵌入所述绝缘盖帽层中。