[发明专利]一种闪存单元结构的形成方法

权利要求书

1.一种闪存单元结构的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：

器件离子注入形成衬底结构；

在上述结构上依次沉积闪存氧化层、浮栅多晶硅层、氧化硅层和氮化硅层；

在上述结构上形成浅沟槽隔离结构；

对上述结构进行衬垫氧化硅预清洗处理，去除部分氧化硅层，露出浮栅多晶硅尖角；

在上述结构的浅沟槽结构中形成衬垫氧化硅层，氧化露出的浮栅多晶硅尖角，使尖角处圆滑；

在所述浅沟槽中沉积氧化硅隔离并进行刻蚀；

刻蚀去除所述氮化硅层直至露出所述浮栅多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的闪存单元结构的形成方法，其特征在于，所述浮栅多晶硅层上沉积的氧化硅层厚度为10-50埃。

3.根据权利要求1所述的闪存单元结构的形成方法，其特征在于，所述衬垫氧化硅预清洗处理采用氢氟酸溶液。

4.根据权利要求1所述的闪存单元结构的形成方法，其特征在于，所述浅沟槽结构上形成衬垫氧化硅层后进行化学机械研磨直至露出氮化硅层。

5.根据权利要求1所述的闪存单元结构的形成方法，其特征在于，所述浅沟槽中氧化硅刻蚀采用各向同性的湿法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的闪存单元结构的形成方法，其特征在于，所述氮化硅层刻蚀采用干法刻蚀。