[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201710798621.2 | 申请日: | 2017-09-07 |
公开(公告)号: | CN107978559B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 姜秉薰;金光淑;裴俊和;曹雨辰;赵玹辰;千俊赫;秋秉权 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;董婷 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
在基底上形成有源层;
形成覆盖所述有源层的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成栅极金属线;
形成覆盖所述栅极金属线并且包括氧化硅的第三绝缘层;
在所述第三绝缘层上形成包括氮化硅的第四绝缘层;
在所述第四绝缘层上形成包括氧化硅的第五绝缘层;
在所述有源层和所述栅极金属线叠置的区域上方布置阻挡构件;
通过在所述第五绝缘层中掺杂氮离子并且使用所述阻挡构件作为掩模,在所述第五绝缘层的一部分中形成第五辅助绝缘层,并且在所述第五绝缘层中的其中未注入有氮离子的另一部分中形成第五主绝缘层;
去除所述阻挡构件;
通过去除所述第五绝缘层的所述第五主绝缘层的不与所述第五辅助绝缘层叠置的部分使所述第四绝缘层的上表面的一部分暴露。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述去除所述第五主绝缘层的所述部分的步骤包括使用抛光装置对所述第五主绝缘层进行抛光。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第五辅助绝缘层位于所述第五绝缘层的所述一部分内的上部上,所述第五主绝缘层位于所述第五绝缘层的所述一部分内的下部上。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述阻挡构件包括光敏膜图案。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述阻挡构件包括荫罩。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第五辅助绝缘层不形成在所述有源层与所述栅极金属线叠置的区域上方。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,通过对所述第五主绝缘层进行抛光,使所述第五主绝缘层的其上未设置有第五辅助绝缘层的上表面位于与所述第四绝缘层的上表面的一部分的水平表面同一水平表面上。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成所述栅极金属线的步骤包括:
在所述第一绝缘层上形成第一栅极金属线;
形成覆盖所述第一栅极金属线的第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成第二栅极金属线,并且使所述第二栅极金属线与所述第一栅极金属线部分地叠置,
其中,所述阻挡构件位于所述有源层与所述第一栅极金属线叠置的部分上方。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述阻挡构件还位于所述有源层、所述第一栅极金属线和所述第二栅极金属线叠置的部分上方。
10.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:
在所述第五辅助绝缘层上形成数据金属线;
形成覆盖所述数据金属线的钝化层;
在所述钝化层上形成第一电极;
在所述第一电极上形成发射层;
在所述发射层上形成第二电极,
其中,所述钝化层与所述第五主绝缘层的其上未设置有所述第五辅助绝缘层的区域接触。
11.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
有源层,位于所述基底上;
第一绝缘层,覆盖所述有源层;
第一栅极金属线,位于所述第一绝缘层上;
第三绝缘层,覆盖所述第一栅极金属线并且包括氧化硅;
第四绝缘层,位于所述第三绝缘层上并且包括氮化硅;
第五主绝缘层,位于所述第四绝缘层上并且包括氧化硅;以及
第五辅助绝缘层,位于所述第五主绝缘层的一部分上并且包括氮化硅,
其中,第五绝缘层包括所述第五主绝缘层和所述第五辅助绝缘层,
其中,所述第五主绝缘层的其上未设置有第五辅助绝缘层的上表面位于与所述第四绝缘层的上表面的一部分的水平表面同一水平表面上,
其中,所述第五辅助绝缘层不位于所述有源层与所述第一栅极金属线叠置的区域上方。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710798621.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶片舟组件及包含晶片舟组件的衬底处理设备
- 下一篇:芯片封装结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造