[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

提供了一种显示装置及其制造方法，所述方法包括：在基底上形成有源层；形成覆盖有源层的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成栅极金属线；形成覆盖栅极金属线并且包括氧化硅的第三绝缘层；在第三绝缘层上形成包括氮化硅的第四绝缘层；在第四绝缘层上形成包括氧化硅的第五绝缘层；在有源层和栅极金属线叠置的区域上方布置阻挡构件；通过在第五绝缘层中掺杂氮离子形成第五辅助绝缘层；通过去除第五绝缘层的第五主绝缘层的不与第五辅助绝缘层叠置的部分使第四绝缘层的上表面的一部分暴露。

本申请要求于2016年10月20日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0136709号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开的实施例的多方面涉及显示装置及其制造方法。

背景技术

显示装置包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器、场发射显示器(FED)和电泳显示装置。通常，在显示装置中，在一个像素中包括多个晶体管以及一个或更多个电容器。晶体管和电容器包括多条线和绝缘层。当显示装置的分辨率增大时，像素的尺寸减小。在高分辨率显示装置中，许多线设置在狭窄的空间中，使得在像素内的线之间产生具有大台阶的区域。在这种情况下，当执行光刻工艺时，由于光敏膜的图案缺陷，容易产生线的图案缺陷。

在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对发明的背景的理解，因此它可以包含不形成对本领域技术人员在本国内已知的现有技术的信息。

发明内容

根据本公开的方面，显示装置能够实现高分辨率，并且提供其制造方法。

根据本公开的一个或更多个示例性实施例，制造显示装置的方法包括：在基底上形成有源层；形成覆盖有源层的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成栅极金属线；形成覆盖栅极金属线并且包括氧化硅的第三绝缘层；在第三绝缘层上形成包括氮化硅的第四绝缘层；在第四绝缘层上形成包括氧化硅的第五绝缘层；在有源层和栅极金属线叠置的区域上方布置阻挡构件；通过在第五绝缘层中掺杂氮离子并且使用阻挡构件作为掩模，在第五绝缘层的一部分中形成第五辅助绝缘层；去除阻挡构件；通过使用剖光装置去除第五绝缘层的第五主绝缘层的不与第五辅助绝缘层叠置的部分，使第四绝缘层的上表面的一部分暴露。去除第五主绝缘层的所述部分的步骤可以包括使用抛光装置对第五主绝缘层的所述部分进行抛光。

第五辅助绝缘层可以位于第五绝缘层的一部分内的上部上，第五主绝缘层可以位于第五绝缘层的一部分内的下部上。

阻挡构件可以包括光敏膜图案，或者阻挡构件可以包括荫罩。

第五辅助绝缘层可以不形成在有源层与栅极金属线叠置的区域上方。

通过对第五主绝缘层进行抛光，第五主绝缘层的其上未设置有第五辅助绝缘层的上表面可以位于与第四绝缘层的上表面的一部分的水平表面同一水平表面上。

形成栅极金属线的步骤可以包括：在第一绝缘层上形成第一栅极金属线；形成覆盖第一栅极金属线的第二绝缘层；在第二绝缘层上形成与第一栅极金属线部分地叠置的第二栅极金属线，阻挡构件可以位于有源层与第一栅极金属线叠置的部分上方。

阻挡构件还可以位于有源层、第一栅极金属线和第二栅极金属线叠置的部分中。

所述方法还可以包括：在第五辅助绝缘层上形成数据金属线；形成覆盖数据金属线的钝化层；在钝化层上形成第一电极；在第一电极上形成发射层；在发射层上形成第二电极，钝化层与第五主绝缘层的其上未设置有第五辅助绝缘层的区域接触。