[发明专利]基于统计学的批量生产恒温晶振的智能老化补偿方法在审

专利信息
申请号: 201710801560.0 申请日: 2017-09-07
公开(公告)号: CN107733368A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 苗苗;李智奇;张志娟;张艺;周渭;张雪萍 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;G06F17/50
代理公司: 西安吉盛专利代理有限责任公司61108 代理人: 吴倩倩
地址: 710071 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 统计学 批量 生产 恒温 智能 老化 补偿 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子技术领域,具体涉及基于统计学的批量生产恒温晶振的智能老化补偿方法。

背景技术

精密晶体振荡器是时频测控方面的核心器件,在军事及高性能时频仪器设备中,对晶振的频率稳定度、老化漂移率等特性参数的要求都是极高的。众所周知,任何晶体振荡器都存在老化漂移率漂移的现象,即晶振的输出频率随工作时间的增加而呈现出缓慢单调变化(增大或者减少)的趋势。虽然老化引起的频率变化的绝对值并不大,但在对精度要求较高的场合,不允许在一段时间内表现出频率值的较大漂移,因此会采取定期校准等措施。克服恒温晶振频率的老化问题,已成为当前国际时间频率控制领域的一个研究热点。

发明内容

为了解决晶振的老化对频率的影响问题,本发明的目的在于提出基于统计学的批量生产恒温晶振的智能老化补偿方法,该方法针对批量生产的恒温晶振进行老化漂移率补偿。

为实现上述技术目的,本发明采用如下技术方法予以实现。

一种基于统计学的批量生产恒温晶振的智能老化补偿方法,包括以下步骤,

步骤1:首先取同批量生产的所有恒温晶振,上电后测量所有恒温晶振的输出频率,并根据测得的输出频率获取老化漂移率特性曲线;其中,恒温晶振的数量为N个,N为大于等于30的整数;

步骤2:将步骤1获得的老化漂移率特性曲线依据统计学理论对N个晶振的最后一组老化漂移率数据进行划分;确定该批次老化漂移率主要变化区间,所述主要变化区间为[μ-σ,μ+σ],其中μ是老化漂移率的均值,σ是老化漂移率的方差;提取出老化漂移率主要变化区间内M个晶振的老化漂移率数据并建立该批次晶振的老化预测模型,其中,M为大于等于1的整数;所述老化预测模型中包含一条老化特性实测曲线和一条老化特性预测曲线;

步骤3:根据步骤2得到的老化预测模型获得M个晶振频率修正数据,通过MCU构成的智能补偿系统对晶振的老化特性进行智能补偿。

优选的,在步骤1中,所述老化漂移率的获取过程是:N个恒温晶振上电后,在85℃高温下加速老化8小时之后采集输出频率;第一个测得频率记为f0;之后每经过1小时记录一个实时输出频率,并将每次测取的频率记为fi,其中,i=1,…,N;则为晶振的瞬时相对频偏;yi(t)对t求导,得到该晶振的老化漂移率记为k;如公式(1)所示;

老化漂移率ki表示在时间间隔dt内的瞬时相对频偏的变化量;计算得到N个老化漂移率和测量天数,获得该批次各晶振的老化漂移率特性曲线;该老化漂移率特性曲线中,横坐标为老化时间,单位为小时;纵坐标为老化漂移率,单位为ppm。

优选的,在步骤2中,所述老化预测模型中老化特性预测曲线获得的具体步骤是:取步骤2中182组频率值,进行Savitzky-Golay滤波后,再利用公式(2)的数学模型拟合出老化特性预测曲线;

y=a·x0.1+b·x0.2+c·x0.3+d·x0.4(2)

在公式(2)中,y是老化漂移率,单位为ppm;x是时间,单位为小时;a、b、c、d是待定系数,单位是ppm/h。

优选的,所述MCU构成的智能补偿系统由MCU、恒温箱以及频率计数器组成;所述MCU的DAC输出的控制电压输入恒温箱内的恒温晶振的压控端;所述恒温箱内的恒温晶振的输出端与频率计数器电性连接。

优选的,在步骤3中所述的补偿方法具体是:将待补偿的恒温晶振置于恒温箱中,设定恒温箱的温度为25℃;MCU与恒温晶振的压控输入端电性连接,其DAC输出的控制电压输入恒温晶振的压控端以调整恒温晶振输出频率;恒温晶振的输出端与频率计数器电性连接;频率计数器测量、显示并存储恒温晶振的实时频率;铷钟与频率计数器的参考频率输入端电性连接。

优选的,通过公式(3)计算DAC输出的控制电压;

其中,u是DAC输出的控制电压,单位是V;k和b是待定常数,单位分别是Hz/V和Hz;Δf=fi-f0为预测频率偏移量,单位是Hz,fi是预测的输出频率,该值由预测曲线得到;f0是标称频率。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710801560.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top