[发明专利]掩膜板、透镜阵列及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201710801909.0 | 申请日: | 2017-09-07 |
公开(公告)号: | CN107357130B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 周刚;杨小飞;牟勋;代科;林亚丽;孟佳;郭明周;刘庭良 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;G02B3/00;G02F1/29 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 透镜 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种透镜阵列的制备方法,所述透镜阵列包括至少一个透镜单元,该方法包括:
使用掩膜板,通过两次光刻工艺形成双面透镜阵列,
其中,所述掩膜板包括至少一个图案单元,所述图案单元包括透明基板和设置在所述透明基板上的半透膜,所述半透膜的透射率在所述图案单元内部至少沿垂直于所述半透膜厚度方向的第一方向上逐渐变化,
所述掩膜板的图案单元与所述透镜单元一一对应,所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板,所述两次光刻工艺所使用的光刻胶的极性相反,
所述通过两次光刻工艺形成双面透镜阵列包括:
在基底上形成第一极性光刻胶层;
使用所述第一掩膜板对所述第一极性光刻胶层曝光,然后进行显影以形成具有第一透镜形状的第一光刻胶图案;
使用所述第一光刻胶图案对基底的表面进行第一刻蚀工艺形成第一透镜阵列表面;
在所述第一透镜阵列表面上形成透镜材料层;
在所述透镜材料层表面上形成第二极性光刻胶层,其中所述第一极性和所述第二极性相反;
使用所述第二掩膜板对所述第二极性光刻胶层曝光,然后进行显影形成具有第二透镜形状的第二光刻胶图案;
使用所述第二光刻胶图案对所述透镜材料层进行第二刻蚀工艺以形成第二透镜阵列表面。
2.根据权利要求1所述的透镜阵列的制备方法,其中,所述半透膜的透射率在所述图案单元内从边缘到中心逐渐增加或逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的透镜阵列的制备方法,其中,
所述半透膜的厚度在所述图案单元内部逐渐变化从而使得所述半透膜的透射率在所述图案单元内部逐渐变化;或者
所述半透膜的材料的透射率在所述图案单元内部逐渐变化从而使得所述半透膜的透射率在所述图案单元内部逐渐变化。
4.根据权利要求3所述的透镜阵列的制备方法,其中,所述半透膜掺杂有不透明染料并且所述不透明染料的掺杂浓度在所述半透膜内部逐渐变化,从而使得所述半透膜的材料的透射率在所述图案单元内部逐渐变化。
5.根据权利要求1所述的透镜阵列的制备方法,其中,所述透镜材料层的形成厚度等于最终所要形成的透镜阵列的厚度。
6.根据权利要求1所述的透镜阵列的制备方法,其中,所述第一掩膜板和所述第二掩膜板为同一个掩膜 板。
7.根据权利要求1所述的透镜阵列的制备方法,其中,所述第一透镜阵列表面的透镜单元与所述第二透镜阵列表面的透镜单元一一对应。
8.根据权利要求1所述的透镜阵列的制备方法,其中,所述第一刻蚀工艺和所述第二刻蚀工艺为干刻工艺。
9.根据权利要求1所述的透镜阵列的制备方法,其中,所述第一透镜形状和所述第二透镜形状彼此相同。
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