[发明专利]氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置

权利要求书

1.一种氧化物半导体，其含有铟In、镓Ga和硅Si，其中，所述氧化物半导体中的Si与In的组成比Si/In大于0.2，所述氧化物半导体中的Si与Ga的组成比Si/Ga大于0.2，所述氧化物半导体含有In-O-Si键和Ga-O-Si键中的至少任一个。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体，其中，所述Si与所述In的组成比Si/In为0.5以下，所述Si与所述Ga的组成比Si/Ga为0.5以下。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体，其中，所述In与所述Ga的组成比In/Ga为0.8～2.0。

4.根据权利要求1所述的氧化物半导体，其中，所述Si相对于所述In的组成、所述Ga的组成和所述Si的组成的总和的含有率Si/(In+Ga+Si)大于9原子％且为20原子％以下。

5.根据权利要求1所述的氧化物半导体，其中，所述Ga的第一配位处的平均配位数为4.3以上，所述In的第一配位处的平均配位数为5.1～5.6。

6.根据权利要求1所述的氧化物半导体，其中，所述氧化物半导体为非结晶形。

7.一种半导体装置，其具备：

第1半导体层，所述第1半导体层含有权利要求1所述的氧化物半导体，所述第1半导体层包括：第1区域；第2区域；和第3区域，所述第3区域设置于所述第1区域与所述第2区域之间；

第1导电部，所述第1导电部与所述第1区域电连接；

第2导电部，所述第2导电部与所述第2区域电连接；和

第3导电部，所述第3导电部在与从所述第1区域朝向所述第2区域的第1方向交叉的方向上与所述3区域分离开。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述第1半导体层包括：第1层；和第2层，所述第2层在所述交叉的方向上与所述第1层层叠，

所述第1层中的Si相对于所述第1层中的In的组成、所述第1层中的Ga的组成和所述第1层中的Si的组成的总和的含有率Si/(In+Ga+Si)为第1值，

所述第2层中的Si相对于所述第2层中的In的组成、所述第2层中的Ga的组成和所述第2层中的Si的组成的总和的含有率Si/(In+Ga+Si)为第2值，

所述第1值与所述第2值不同。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述Si与所述In的组成比Si/In为0.5以下，所述Si与所述Ga的组成比Si/Ga为0.5以下。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述In与所述Ga的组成比In/Ga为0.8～2.0。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述Si相对于所述In的组成、所述Ga的组成和所述Si的组成的总和的含有率Si/(In+Ga+Si)大于9原子％且为20原子％以下。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第1层设置于所述第3导电部与所述第2层之间，

所述第2值比所述第1值小。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第1层设置于所述第3导电部与所述第2层之间，

所述第2层的电阻率比所述第1层的电阻率低。

14.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第1层设置于所述第3导电部与所述第2层之间，

所述第2层的厚度比所述第1层的厚度厚。

15.根据权利要求12所述的半导体装置，其进一步具备设置于所述第1层与所述第3导电部之间的第1绝缘膜，

所述第1层与所述第1绝缘膜相接触。