[发明专利]氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置

说明书

本发明的实施方式涉及氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置。提供一种提高了耐热性的氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置。根据实施方式，提供一种含有铟(In)、镓(Ga)和硅(Si)的氧化物半导体。所述氧化物半导体中的Si与In的组成比(Si/In)大于0.2。所述氧化物半导体中的Si与Ga的组成比(Si/Ga)大于0.2。

相关申请

本申请基于日本专利申请2016-179805(申请日：2016年9月14日)从该申请享有优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置。

背景技术

在半导体装置中有时使用含有多元素化合物的氧化物半导体。例如，作为具有较高载流子传导性的氧化物半导体，已知有InGaZnO，被应用于薄膜晶体管(TFT：Thin FilmTransistor)的沟道层。在氧化物半导体中，例如被要求提高耐热性。

发明内容

本发明的实施方式提供一种提高了耐热性的氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置。

根据本发明的实施方式，可提供一种含有铟(In)、镓(Ga)和硅(Si)的氧化物半导体。所述氧化物半导体中的Si与In的组成比(Si/In)大于0.2。所述氧化物半导体中的Si与Ga的组成比(Si/Ga)大于0.2。

根据本发明的实施方式，能够提供一种提高了耐热性的氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置。

附图说明

图1是例示第1实施方式的氧化物半导体的示意性断面图。

图2是表示第1实施方式的氧化物半导体的形成条件和组成的表。

图3是例示第1实施方式的氧化物半导体的红外吸收光谱的曲线图。

图4是例示氧化物半导体状态的曲线图。

图5是表示用于第1实施方式的氧化物半导体的模拟分析的计算模型的表。

图6(a)～图6(c)是表示第1实施方式的氧化物半导体的局部结构中的模拟结果的曲线图。

图7(a)～图7(c)是表示第1实施方式的氧化物半导体的局部结构中的模拟结果的曲线图。

图8(a)～图8(c)是表示第1实施方式的氧化物半导体的局部结构中的模拟结果的曲线图。

图9(a)和图9(b)是表示第1实施方式的氧化物半导体的局部结构中的模拟结果的曲线图。

图10(a)和图10(b)是例示第1实施方式的氧化物半导体的模拟结果的曲线图。

图11是例示氧化物半导体中的局部结构的示意图。

图12(a)～图12(f)是表示第1实施方式的氧化物半导体的电子状态的模拟结果的曲线图。

图13(a)～图13(d)是表示第1实施方式的氧化物半导体与参考例的氧化物半导体的模拟结果的曲线图。

图14是例示第2实施方式的半导体装置的示意性断面图。

图15是例示第2实施方式的另一半导体装置的示意性断面图。

图16是例示第2实施方式的半导体装置的第1半导体层的示意性断面图。

图17是例示第2实施方式的半导体装置的另一第1半导体层的示意性断面图。

图18是例示第3实施方式的固体摄像装置的示意性断面图。