[发明专利]半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，包含：

提供一基底，基底上定义有一密集区以及一宽疏区；

形成一第一介电层于该密集区以及该宽疏区上内；

形成多个第一凹槽于该密集区中的该第一介电层内，以及形成一第二凹槽于该宽疏区中的该第一介电层内，其中该第二凹槽的一宽度大于该第一凹槽的一宽度三倍以上；

形成一第二介电层填满该第一凹槽内以及填满第二凹槽内，其中该第二介电层位于该宽疏区的一顶部高于该第二介电层位于该密集区的一顶部；以及

进行一回蚀刻步骤，移除该密集区内以及该宽疏区内的该第二介电层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中该回蚀刻步骤完全移除该密集区内的该第二介电层。

3.如权利要求1所述的制作方法，其中该回蚀刻步骤后，移除部分该宽疏区的该第二介电层。

4.如权利要求1所述的制作方法，其中还包含有形成一氧化层于各该第一凹槽与该第二凹槽内。

5.如权利要求4所述的制作方法，其中还包含进行一第二蚀刻步骤，以部分移除该氧化层。

6.如权利要求5所述的制作方法，其中该第二蚀刻步骤后，仍有部分该第二介电层位于该宽疏区的该第二凹槽内。

7.如权利要求5所述的制作方法，其中该第二蚀刻步骤之后，位于该密集区的剩余的该氧化层呈现多个垂直结构，位于该宽疏区的剩余的该氧化层呈现一个U型剖面结构。

8.如权利要求5所述的制作方法，还包含形成一氮化硅层，位于该基底与该第一介电层之间。

9.如权利要求8所述的制作方法，还包含进行一第三蚀刻步骤，以剩余的该氧化层为掩模，部分移除该氮化硅层。

10.如权利要求8所述的制作方法，其中各该第一凹槽与该第二凹槽曝露出该氮化硅层。

11.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一介电层的材质为ODL(organicdielectric layer)。

12.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二介电层的材质为ODL(organicdielectric layer)。

13.如权利要求1所述的制作方法，其中位于该密集区内，该第二介电层填满该第一凹槽内以及填满第二凹槽后，该第二介电层与该第一介电层的一垂直距离为600埃至900埃。

14.如权利要求1所述的制作方法，其中位于该宽疏区内，该第二介电层填满该第一凹槽内以及填满第二凹槽后，该第二介电层与该第一介电层的一垂直距离为1100埃至1500埃。

15.如权利要求1所述的制作方法，其中各该第一凹槽具有一第一宽度，该第二凹槽具有一第二宽度，且该第二宽度为该第一宽度的五倍以上。

16.如权利要求1所述的制作方法，在形成各该第一凹槽与该第二凹槽之前，还包含有形成一介电质抗反射镀膜于该第一介电层上。