[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶面板在审
申请号: | 201710804819.7 | 申请日: | 2017-09-06 |
公开(公告)号: | CN107463042A | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 衣志光 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 液晶面板 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体而言涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶面板。
背景技术
基于COA(Color Filter on Array,彩色滤波阵列)技术的液晶面板在撞击时容易产生Bubble(气泡),其原因主要有两个:一个是局部位置色阻图案的过孔与TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)的过孔重叠,重叠位置的PV层(Passivation,钝化层)被刻蚀掉,导致色阻图案中的气体在成盒制程后从重叠位置析出并形成Bubble,改善对策是扩大色阻图案的过孔大小,使其与TFT过孔不重叠,但这样会降低穿透率。第二个是在震动过程中由于PV层开裂导致色阻图案中的气体析出而形成Bubble,改善对策是在色阻图案上开设小尺寸的排气孔,色阻图案的气体通过排气孔在成盒制程之前排出,但是色阻图案的刻蚀率低于PV层的刻蚀率,容易因刻蚀深度不够导致气体无法析出。
由此可见,如何形成排出色阻图案内气体的路径,以降低液晶面板出现Bubble的风险是当前业界迫切需要解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种阵列基板及其制造方法、液晶面板,能够形成排出色阻图案内气体的路径,有利于排出色阻图案内的气体,并降低液晶面板出现Bubble的风险。
本发明一实施例的阵列基板,包括:
衬底基材;
栅极图案,位于衬底基材上;
栅极绝缘层,位于衬底基材上并覆盖栅极图案;
源极图案和漏极图案,间隔设置于栅极绝缘层上;
第一钝化层,位于栅极绝缘层上并覆盖源极图案和漏极图案;
色阻图案,位于第一钝化层上,所述色阻图案开设有未贯穿色阻图案的排气孔;
第二钝化层,位于色阻图案上,所述第二钝化层开设有过孔,所述过孔与排气孔导通以供色阻图案内的气体逸出。
本发明一实施例的液晶面板,包括上述阵列基板以及与所述阵列基板相对间隔的彩膜基板。
本发明一实施例的阵列基板的制造方法,包括:
提供一衬底基材;
在衬底基材上依次形成栅极图案、栅极绝缘层、源极图案和漏极图案、以及第一钝化层,栅极绝缘层覆盖栅极图案,源极图案和漏极图案间隔设置于栅极绝缘层上,第一钝化层覆盖源极图案和漏极图案;
在第一钝化层上形成色阻图案,并在色阻图案上开设未贯穿色阻图案的排气孔;
在色阻图案上形成第二钝化层,并在第二钝化层上开设过孔,所述过孔与排气孔导通以供色阻图案内的气体逸出。
有益效果:本发明设计色阻图案开设有未贯穿色阻图案的排气孔,位于色阻图案上的钝化层开设有过孔,色阻图案内的气体从排气孔析出后可以由过孔排出,从而形成排出色阻图案内气体的路径,并且本发明在色阻图案上开设排气孔,整体上提升了排气孔的深度,有利于排出色阻图案内的气体,降低液晶面板出现Bubble的风险。
附图说明
图1是本发明一实施例的阵列基板的结构剖视图;
图2是本发明一实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图;
图3是本发明一实施例的液晶面板的结构剖视图。
具体实施方式
本发明的主要目的是:设计色阻图案开设有未贯穿色阻图案的排气孔,位于色阻图案上的钝化层开设有过孔,色阻图案内的气体从排气孔析出后可以由过孔排出,本发明相当于提升了排气孔的深度,从而有利于排出色阻图案内的气体,降低液晶面板出现Bubble的风险。
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下,下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。并且,本发明下文各个实施例所采用的方向性术语,例如“上”、“下”等,均是为了更好的描述各个实施例,并非用于限制本发明的保护范围。
图1是本发明一实施例的阵列基板的结构剖视图。请参阅图1,本实施例的阵列基板10包括衬底基材11以及依次形成于该衬底基材11上的各层结构:栅极图案12、栅极绝缘层(Gate Insulation Layer,GI层)13、半导体图案14、源极图案151和漏极图案152、第一钝化层16、色阻图案17、第二钝化层18以及像素电极图案19。
其中,栅极绝缘层13为覆盖栅极图案12的一整面结构,源极图案151和漏极图案152位于同一层且间隔设置于栅极绝缘层13上,第一钝化层16为覆盖源极图案151和漏极图案152的一整面结构。
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