[发明专利]一种用于OneLTE二合一平台的宽带低剖面双线极化天线在审

专利信息
申请号: 201710804959.4 申请日: 2017-09-08
公开(公告)号: CN109473777A 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 肖红侠;马昌明 申请(专利权)人: PC-TEL公司
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q15/24;H01Q19/10;H01Q21/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孙鹏;刘春元
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 双线极化天线 寄生元件 耦合 低剖面 宽带 介质基板上表面 天线阵列装置 介质基板 折合振子 二合一 辐射 印刷 工程实现 间隔放置 馈电巴伦 超宽带 低轮廓 下表面 馈电 美观 生产
【说明书】:

提供了一种用于OneLTE二合一平台的宽带低剖面双线极化天线及由其形成的天线阵列装置。根据本发明的宽带低剖面双线极化天线包括:辐射部分,所述辐射部分包括介质基板、介质基板上表面上间隔放置的印刷折合振子、所述介质基板下表面上的第一耦合寄生元件和所述介质基板上表面上的第二耦合寄生元件;馈电巴伦,用于为所述辐射部分馈电,其中每个印刷折合振子都具有其相应的所述第一耦合寄生元件和所述第二耦合寄生元件。根据本发明的双线极化天线及由其形成的天线阵列装置可以实现低轮廓和超宽带,并且还具有结构简单、美观、易于工程实现和适合大批量生产的优点。

技术领域

本申请总体上涉及一种宽带低剖面双线极化天线,并且更具体地涉及一种用于OneLTE二合一平台的宽带低剖面双线极化天线。

背景技术

最近,OneLTE技术正在迅速兴起。OneLTE是指在LTE网络中同时包括TD-LTE和LTEFDD两种无线网络接入方式和共用的核心网。两者相互补充、相互配合,在网络侧实现站点级融合、网络互操作和性能级融合,从而最大地提升了整体网络容量和覆盖。运营商由此可以将自身持有的包括TDD和FDD的所有频谱用于提供统一的4G网络体验。

然而,用于OneLTE的现有双线极化天线通常包括2个辐射部分(即分别用于FDD的1.8GHz和TDD的2.6GHz),这是因为每个都没有足够的带宽,例如最早描述双线极化天线的专利之一的美国专利 US3740754,它公开的双线极化天线就无法满足宽频带的需要。因此,用于OneLTE的这些天线显然体积庞大,不适应小型化的要求。此外,在这些天线中,高低频辐射部分之间存在较明显的互耦,造成了不同频段的辐射部分的辐射方向图的畸变。

虽然近期在学术论文或工业化产品中已经出现了一些满足OneLTE的1.8GHz和2.6GHz的二合一宽带天线,但是这些天线的厚度通常为35mm左右,无法满足OneLTE基站工业化设计过程中对天线的更小、更轻、更宽带和更绿色的需求。

因此,为了解决现有技术中存在的缺陷和不足,本发明提供一种了用于OneLTE二合一平台的满足小型化的宽带低剖面双线极化天线。

发明内容

为了解决上述问题,本发明采用了如下的技术方案。

根据本发明的一个方面,提供了一种宽带低剖面双线极化天线,包括:辐射部分,所述辐射部分包括介质基板、介质基板上表面上间隔放置的印刷折合振子、所述介质基板下表面上的第一耦合寄生元件和所述介质基板上表面上的第二耦合寄生元件;馈电巴伦,用于为所述辐射部分馈电,其中每个印刷折合振子都具有其相应的所述第一耦合寄生元件和所述第二耦合寄生元件。

根据本发明的另一方面,提供了一种宽带低剖面双线极化天线阵列装置,所述天线阵列装置包括:多个上述的双线极化天线;馈电网络,其包括功分器,用于等幅同相地为该多个双线极化天线馈电,所述馈电网络具有两个馈电端口,用于分别激励±45°极化模式以通过所述功分器为每个双线极化天线馈电;以及底部金属反射板。

附图说明

图1是根据本发明的一个实施例的宽带低剖面双线极化天线的立视图;

图2是根据本发明的一个实施例的宽带低剖面双线极化天线的侧视图;

图3是根据本发明的一个实施例的宽带低剖面双线极化天线的辐射部分的顶视图;

图4是根据本发明的一个实施例的宽带低剖面双线极化天线的辐射部分的底视图;

图5(a)至5(c)是据本发明的一个实施例的宽带低剖面双线极化天线的馈电巴伦的侧视图,其中图5(a)示出了第一和第二巴伦的一部分,并且图5(b)和图5(c)分别示出了图5(a)中第一和第二巴伦被遮挡的部分;

图6示出了根据本发明的一个实施例的宽带低剖面天线阵列装置,其中的双线极化天线为图1和图2中示出的宽带低剖面双线极化天线。

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