[发明专利]处理液供给装置有效
申请号: | 201710805006.X | 申请日: | 2017-09-08 |
公开(公告)号: | CN107808833B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 佐佐卓志;石丸大辅;桥本克也;志手英男;若水信也;木村一彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B01D35/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 供给 装置 | ||
1.一种处理液供给装置,对用于向被处理体喷出处理液的处理液喷出部供给处理液,所述处理液供给装置的特征在于,具备:
暂时贮存装置,其暂时贮存从用于贮存处理液的处理液供给源供给的处理液;
过滤器,其将来自所述暂时贮存装置的处理液中的异物去除;以及
泵,其将被该过滤器去除异物后的处理液向所述处理液喷出部送出,
其中,所述暂时贮存装置具有对贮存于该暂时贮存装置中的处理液进行加压搬送的加压搬送功能,
所述处理液供给装置还具备控制装置,该控制装置至少用于对来自所述暂时贮存装置的处理液的加压搬送进行控制,所述控制装置具有电空调节器,该电空调节器用于对该暂时贮存装置的贮存处理液的贮存室内的液压进行调整,
所述处理液供给装置还具备压力测定装置和处理液供给管,
所述压力测定装置设置于比所述暂时贮存装置靠下游侧的位置,测定处理液的液压,
所述控制装置基于所述压力测定装置中的测定结果,来至少对来自所述暂时贮存装置的处理液的加压搬送进行控制,
在所述处理液供给管上从上游侧起依次设置有所述暂时贮存装置、所述过滤器以及所述泵,
所述泵具有贮存处理液的贮存室,
在所述处理液供给管,在所述暂时贮存装置与所述过滤器之间具有一个阀,在所述泵与所述过滤器之间具有另一个阀,
所述控制装置在从所述暂时贮存装置向所述泵的贮存室补充被所述过滤器去除异物后的处理液时,在打开了所述一个阀并关闭了所述另一个阀的状态下,控制来自所述暂时贮存装置的处理液的压力,以使由所述压力测定装置测定出的所述过滤器的次级侧的压力成为规定的值,之后,在关闭了所述一个阀并打开了所述另一个阀的状态下,控制所述贮存室内的压力,以使由所述压力测定装置测定出的所述过滤器的次级侧的压力成为所述规定的值,之后在打开了所述一个阀和所述另一个阀的状态下开始进行所述补充。
2.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述压力测定装置测定所述过滤器的次级侧的液压,
所述控制装置控制所述加压搬送时的液压,以使所述过滤器的次级侧的液压固定。
3.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述压力测定装置测定所述过滤器的次级侧的液压,
在所述过滤器的次级侧的液压处于规定范围内的情况下,所述控制装置向所述暂时贮存装置施加规定的压力来对处理液进行加压搬送。
4.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述压力测定装置测定所述过滤器的初级侧的液压,
所述控制装置控制所述加压搬送时的液压,以使所述过滤器的初级侧的液压固定。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的处理液供给装置,其特征在于,
具备多个包括所述暂时贮存装置、所述过滤器以及所述泵的组,
所述电空调节器是针对所述暂时贮存装置分别设置的,用于对该暂时贮存装置的贮存处理液的贮存室内的液压进行调整。
6.根据权利要求1~4中的任一项所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述暂时贮存装置是隔膜泵。
7.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
具备多个包括所述暂时贮存装置、所述过滤器以及所述泵的组,
所述暂时贮存装置分别独立地具有用于贮存处理液的贮存装置和用于对该贮存装置内的处理液进行加压搬送的另外的泵,
针对所述暂时贮存装置的所述另外的泵设置有对该另外的泵的用于贮存处理液的贮存室内的液压进行调整的共用的电空调节器,
利用所述共用的电空调节器对从所述暂时贮存装置加压搬送处理液时的液压进行控制。
8.根据权利要求7所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述另外的泵是隔膜泵。
9.根据权利要求1~4中的任一项所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述泵在将被所述过滤器去除异物后的处理液向所述处理液喷出部送出时,以使该处理液再次通过所述过滤器内的方式送出该处理液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造