[发明专利]沟槽中包括多衬垫层的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

半导体基底；

沟槽隔离层，位于半导体基底上，并且被构造为限定有源区；

多衬垫层，位于包括沟槽隔离层的沟槽的内侧壁上，

其中，多衬垫层包括位于沟槽的内侧壁上的第一衬垫层、位于第一衬垫层上的第二衬垫层以及位于第二衬垫层上的第三衬垫层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二衬垫层的电荷捕获密度比第一衬垫层的电荷捕获密度高，并且比第三衬垫层的电荷捕获密度低。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二衬垫层包括能够捕获电荷的电荷捕获层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一衬垫层包括氧化硅层Si_xO_y，其中x和y是正整数；第二衬垫层包括氮氧化硅层SiO_xN_y，其中x和y是正整数；并且第三衬垫层包括氮化硅层Si_xN_y，其中x和y是正整数。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一衬垫层包括经由热氧化法形成的氧化硅层，第二衬垫层和第三衬垫层分别包括经由沉积法形成的氮氧化硅层SiO_xN_y和氮化硅层Si_xN_y，其中SiO_xN_y中的x和y是正整数，Si_xN_y中的x和y是正整数。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

沟槽隔离层包括位于沟槽内侧的绝缘层；

有源区包括半导体基底的部分。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

栅电极，在半导体基底上方在第一方向上与有源区交叉并且延伸到沟槽隔离层，

栅极绝缘层，在半导体基底上位于栅电极下方，

源区和漏区，在半导体基底上在垂直于第一方向的第二方向上被栅电极彼此分开。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，多衬垫层在平行于栅电极的第一方向上与栅电极和栅极绝缘层相邻，并且位于与源区和漏区的边缘相邻的区域中。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，多衬垫层在平行于栅电极的第一方向上与栅电极和栅极绝缘层相邻，并且在与源区和漏区的边缘的顶部相邻的区域中是竖直的。

10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

半导体基底，包括单元区和外围电路区；

沟槽隔离层，位于包括单元区和外围电路区的半导体基底上，沟槽隔离层限定有源区；

多衬垫层，在单元区和外围电路区中位于包括沟槽隔离层的沟槽的内侧壁上；

单元晶体管，位于单元区中；

外围电路晶体管，位于外围电路区中，

位于单元区和外围电路区中的至少一个中的多衬垫层包括位于沟槽的内侧壁上的第一衬垫层、位于第一衬垫层上的第二衬垫层以及位于第二衬垫层上的第三衬垫层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，第二衬垫层包括能够捕获电荷的电荷捕获层。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，第一衬垫层包括氧化硅层Si_xO_y，其中x和y是正整数；第二衬垫层包括氮氧化硅层SiO_xN_y，其中x和y是正整数；第三衬垫层包括氮化硅层Si_xN_y，其中x和y是正整数。