[发明专利]沟槽中包括多衬垫层的半导体装置

说明书

公开了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：半导体基底；沟槽隔离层，位于半导体基底上，并且被构造为限定有源区；多衬垫层，位于包括沟槽隔离层的沟槽的内侧壁上。多衬垫层可以包括位于沟槽的内侧壁上的第一衬垫层、位于第一衬垫层上的第二衬垫层以及位于第二衬垫层上的第三衬垫层。

本申请要求于2016年12月1日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0162922号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种半导体装置，并且/或者涉及一种沟槽中包括多衬垫层的半导体装置。

背景技术

由于半导体装置的高密度集成，晶体管可能难以稳定地运转。包括在半导体装置中的晶体管可以包括由沟槽隔离层限定的有源区。当沟槽隔离层清晰地与有源区物理地或电气地分开时，晶体管可以稳定地运转。

发明内容

发明构思提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括沟槽中的多衬垫层，其用于清晰地将有源区与沟槽隔离层物理地或电气地分开。

根据一些示例实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基底；沟槽隔离层，位于半导体基底上并且被构造为限定有源区；多衬垫层，位于包括沟槽隔离层的沟槽的内侧壁上，其中，多衬垫层包括位于沟槽的内侧壁上的第一衬垫层、位于第一衬垫层上的第二衬垫层以及位于第二衬垫层上的第三衬垫层。

根据一些示例实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基底，包括单元区和外围电路区；沟槽隔离层，位于包括单元区和外围电路区的半导体基底上，沟槽隔离层被构造为限定有源区；多衬垫层，在单元区和外围电路区中位于包括沟槽隔离层的沟槽的内侧壁上；单元晶体管，位于单元区中；外围电路晶体管，位于外围电路区中，其中，位于单元区和外围电路区中的至少任何一个中的多衬垫层包括位于沟槽的内侧壁上的第一衬垫层、位于第一衬垫层上的第二衬垫层以及位于第二衬垫层上的第三衬垫层。

根据一些示例实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基底；沟槽隔离层，位于半导体基底上并被构造为限定有源区；多衬垫层，位于包括沟槽隔离层的沟槽的内侧壁上，其中，多衬垫层包括位于沟槽的内侧壁上的第一衬垫层以及位于第一衬垫层上的第二衬垫层。一些示例实施例涉及包括半导体基底、位于半导体基底中的沟槽以及位于沟槽的至少一个内侧壁上的多衬垫层的半导体装置，多衬垫层被构造成使通过其的电荷流最小化。

附图说明

从下面结合附图的详细描述中将更清楚地理解发明构思的实施例，在附图中：

图1是根据发明构思的示例实施例的半导体装置的布局图；

图2是沿图1中的线Y1-Y1'截取的半导体装置的剖视图；

图3是沿图1中的线X1-X1'截取的半导体装置的剖视图；

图4是根据发明构思的示例实施例的半导体装置的平面图；

图5是分别沿图4中的线A-A'和线B-B'截取的根据发明构思的示例实施例的半导体装置的剖视图的组合；

图6是分别沿图4中的线C-C'和线E-E'截取的根据发明构思的示例实施例的半导体装置的剖视图的组合；

图7是沿图4中的线D-D'截取的根据发明构思的示例实施例的半导体装置的剖视图；

图8是图7中的部分F的放大剖视图；

图9至图13是沿图4中的线A-A'、线B-B'和线C-C'截取的根据发明构思的示例实施例的半导体装置的剖视图的组合，用于示出其制造方法；

图14是包括根据发明构思的示例实施例的半导体装置的存储器系统的示例的框图；