[发明专利]一种用于挖沟槽的硅片旋转装置

说明书

一种用于挖沟槽的硅片旋转装置，包括槽体，所述槽体两端的底部分别设有固定架；所述固定架的内侧均设有翻转支座；所述固定架上设有传动机构，所述传动机构与对应的所述翻转支座固定连接；所述槽体两端侧壁外部均设有滚动调速马达，所述滚动调速马达与所述传动机构传动连接；所述翻转支座的两端分别设有锁紧机构。本申请的有益效果是：通过旋转装置带动硅片旋转，不仅可以搅拌挖沟槽槽体内的药液，使之更均匀，还可以将硅片翻转，底部硅片和顶部硅片进行位置调换，使先进入药液的硅片最先取出，从而保证硅片腐蚀时间的一致性；药液的均匀程度和硅片腐蚀时间的一致性都利于减少沟槽腐蚀深度的极差，从而提高整体挖沟槽品质。

技术领域

本申请属于硅片湿法刻蚀技术领域，具体地说，涉及一种用于挖沟槽的硅片旋转装置。

背景技术

GPP是Glassivation passivation parts的缩写，是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯P/N结面四周烧制一层玻璃，玻璃与单晶硅有很好的结合特性，使P/N结获得最佳的保护，免受外界环境的侵扰，提高器件的稳定性，信赖性极佳。

而半导体硅片刻蚀工艺是半导体器件制作过程中的重要工艺。硅片在经过光刻、显影等工艺流程后进行湿法刻蚀。为满足产品品质需要，要求刻蚀形成的沟槽深度具备均匀性，片内、片间及批次间的沟槽深度级差均控制在7μm之内。目前影响刻蚀深度的因素有：1、刻蚀槽腐蚀药液的浓度均匀性；2、硅片与药液接触时间的均匀性。为满足半导体产品对刻蚀深度的级差要求就需要设计人员兼顾考虑以上2点因素。

目前市面上的半导体湿法刻蚀设备绝大多数采用静止冷却槽加高速机械抖动的方式进行刻蚀工艺，其存在以下缺点：

1、静止槽中缺少药液流动，仅凭机械手抖动搅拌药液难以使药液均匀；

2、传统的槽体设备，硅片在药液槽中无旋转等动作，造成硅片底部先进后出，片底部的槽刻蚀深度比片顶部要深，影响刻蚀深度级差。

发明内容

有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供一种用于挖沟槽的硅片旋转装置，能够在挖沟槽槽体内将硅片进行旋转，使得先进入槽体的硅片最先取出，以此保证不同位置的硅片刻蚀时间的一致性，从而降低硅片刻蚀深度的极差。

为了解决上述技术问题，本申请公开了一种用于挖沟槽的硅片旋转装置，并采用以下技术方案来实现。

一种用于挖沟槽的硅片旋转装置，所述挖沟槽的槽体两端的底部分别设有固定架；所述固定架的内侧均设有翻转支座；所述固定架上设有传动机构，所述传动机构与对应的所述翻转支座固定连接；所述槽体两端侧壁外部均设有滚动调速马达，所述滚动调速马达与所述传动机构传动连接；所述翻转支座的两端分别设有锁紧机构。

进一步的，所述固定架包括垂直设置的第一固定架和第二固定架；所述第一固定架设于所述第二固定架的外侧；所述槽体侧壁上设有过孔，所述滚动调速马达的转轴穿过所述过孔后与电机端齿轮固定连接；所述第一固定架上设有第一过孔；所述第一过孔的外侧设有第一传动齿轮，内侧设有第二传动齿轮；所述第一传动齿轮和所述第二传动齿轮通过所述第一过孔固定连接；所述第一传动齿轮与所述电机端齿轮通过传动皮带连接；所述第二固定架上设有第二过孔；所述第二过孔的外侧设有支座端齿轮，内侧设有连接板；所述连接板与所述支座端齿轮通过所述第二过孔固定连接，所述连接板的底端与所述翻转支座固定连接；所述支座端齿轮与所述第二传动齿轮相互啮合。

进一步的，所述翻转支座为水平设置。

进一步的，所述第一固定架和所述第二固定架均垂直固定设于所述槽体内底面上。

进一步的，所述锁紧机构包括滑动设置在所述翻转支座上的滑动杆，所述滑动杆的下端设有滑块；所述滑块置于设置在所述翻转支座上的滑条内；所述滑块与所述滑条之间为高摩擦力滑动；所述滑动杆的上端与锁紧拨钮连接；所述槽体两端的滑动杆之间设有若干锁紧杆。