[发明专利]一种横向DMOS晶体管在审
| 申请号： | 201710819462.X | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107863385A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | J·庞纳斯 | 申请（专利权）人： | 普缘芯半导体科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人： | 翟羽,黄玉祺 |
| 地址： | 201103 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 dmos 晶体管 | ||
1.一种横向DMOS晶体管，包括：
一衬底；
第一隔离区和第二隔离区，所述第一隔离区和第二隔离区形成于所述衬底上；
一源极区，所述源极区形成于所述衬底上并位于所述第一隔离区与所述第二隔离区之间；
一第一漏极区，所述漏极区形成于所述衬底上并位于所述第一隔离区与所述源极区之间；
一第一栅极结构，所述第一栅极结构形成于所述衬底上，位于所述源极区与所述第一漏极区之间，并与所述源极区相邻；
一第一外延层，所述第一外延层形成于所述衬底上并位于所述第一隔离区与所述第二隔离区之间；
一第一掩埋层，所述第一掩埋层形成于所述第一外延层上，并且，所述第一掩埋层在所述源极区与所述第一漏极区之间横向延伸；
一第二外延层，所述第二外延层形成于所述第一外延层及所述第一掩埋层上，并位于所述第一隔离区与所述第二隔离区之间；以及，
一第一表面层，所述第一表面层形成于所述第二外延层上并位于所述第一栅极结构与所述第一漏极区之间；
其中，所述衬底、第一外延层、第一掩埋层、第二外延层及第一表面层交替掺杂。
2.如权利要求1所述的横向DMOS晶体管，其特征在于，所述横向DMOS晶体管进一步包括：
一第二漏极区，所述第二漏极区形成于所述衬底上并位于所述第二隔离区与所述源极区之间；
一第二栅极结构，所述第二栅极结构形成于所述衬底上，位于所述源极区与所述第一漏极区之间，并与所述源极区相邻；
一第二掩埋层，所述第二掩埋层形成于所述第一外延层上并位于所述第二外延层下，并且，所述第二掩埋层在所述源极区与所述第二漏极区之间横向延伸；以及，
一第二表面层，所述第二表面层形成于所述第二外延层上并位于所述第二栅极结构与所述第二漏极区之间；
其中，所述第二掩埋层的掺杂与所述第一掩埋层的掺杂相同，所述第二表面层的掺杂与所述第一表面的掺杂相同。
3.如权利要求2所述的横向DMOS晶体管，其特征在于，所述横向DMOS晶体管是一高压器件。
4.如权利要求1所述的横向DMOS晶体管，其特征在于，所述横向DMOS晶体管进一步包括一第一p型主体区，所述源极区形成于所述第一p型主体区内。
5.如权利要求4所述的横向DMOS晶体管，其特征在于，所述横向DMOS晶体管进一步包括一第二p型主体区，所述第二p型主体区形成于所述第一p型主体区与所述第二外延层之间。
6.如权利要求1所述的横向DMOS晶体管，其特征在于，所述衬底、第一掩埋层及第一表面层为n型掺杂，并且，所述第一外延层及所述第二外延层为p型掺杂。
7.如权利要求1所述的横向DMOS晶体管，其特征在于，所述衬底、第一掩埋层及第一表面层为p型掺杂，并且，所述第一外延层及所述第二外延层为n型掺杂。
8.如权利要求1所述的横向DMOS晶体管，其特征在于，所述第一栅极结构与所述源极区部分重叠。
9.如权利要求1所述的横向DMOS晶体管，其特征在于，所述第一栅极结构与所述第一掩埋层部分重叠。
10.如权利要求1所述的横向DMOS晶体管，其特征在于，所述第一掩埋层形成数个不相交区域。
11.如权利要求1所述的横向DMOS晶体管，其特征在于，所述横向DMOS晶体管是一低压器件。
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