[发明专利]TFT基板减薄方法

权利要求书

1.一种TFT基板减薄方法，包括：

提供TFT基板；

对所述TFT基板的玻璃基板进行蚀刻；

判断所述TFT基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止所述蚀刻操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述TFT基板的玻璃基板进行蚀刻的步骤为：

对所述TFT基板的玻璃基板利用化学物质进行蚀刻。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述化学物质为氢氟酸。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述TFT基板的玻璃基板利用化学物质进行蚀刻的步骤包括：

在所述TFT基板的电路表面覆盖一层保护膜；所述保护膜用于避免所述电路被所述化学物质蚀刻；

将覆盖有所述保护膜的TFT基板放置于盛有所述化学物质的装置中，以使得所述玻璃基板被所述化学物质蚀刻；

并且，在判断所述TFT基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止所述蚀刻操作之后，所述方法还包括：

将所述保护膜去除。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述保护膜为UV膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述TFT基板的电路表面覆盖一层保护膜的步骤之前，所述对所述TFT基板的玻璃基板利用化学物质进行蚀刻的步骤还包括：

在所述TFT基板的电路表面的有效显示区域贴一层静电纸。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将所述保护膜去除的步骤包括：

利用真空平台将蚀刻完成后的所述TFT基板吸附起来，并使得所述保护膜裸露在外；

利用紫外线对所述保护膜进行照射，并在照射完成后将所述保护膜撕除。

8.根据权利要求4至7中任一项权利要求所述的方法，其特征在于，在所述将覆盖有所述保护膜的TFT基板放置于盛有所述化学物质的装置中，以使得所述玻璃基板被所述化学物质蚀刻的步骤之前，所述对所述TFT基板的玻璃基板利用化学物质进行蚀刻的步骤还包括：

对覆盖有所述保护膜的TFT基板进行脱泡处理，以去掉所述保护膜与所述TFT基板之间的气泡。

9.根据权利要求1至7中任一项权利要求所述的方法，其特征在于，判断所述TFT基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止所述蚀刻操作的步骤包括：

利用长度测量工具实时检测所述TFT基板的厚度；

根据所述长度测量工具测量的数据判断所述TFT基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止所述蚀刻操作。

10.根据权利要求2至7中任一项权利要求所述的方法，其特征在于，在判断所述TFT基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止所述蚀刻操作的步骤之后，所述方法还包括：

对减薄后的所述TFT基板进行清洗，以去除残留在所述TFT基板上的所述化学物质。