[发明专利]一种激素诱导密刺苦草工程苗的快繁方法在审

专利信息
申请号: 201710820368.6 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107333658A 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 高海龙;詹茂华;程寒飞;朱林;黄建 申请(专利权)人: 中冶华天工程技术有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 马鞍山市金桥专利代理有限公司34111 代理人: 唐宗才
地址: 243005 安徽省马鞍山市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 激素 诱导 密刺苦草 工程 方法
【权利要求书】:

1.一种激素诱导密刺苦草工程苗的快繁方法,其特征是,包括如下步骤:

1)外植体的消毒

采集生长良好、健壮的密刺苦草植株,用清水清洗3~4遍,清除密刺苦草表面附着物,将密刺苦草叶子去除;然后对密刺苦草根茎段消毒,最后截取0.5~1.0cm带节间的根茎段;

2)出芽诱导

将消毒后的密刺苦草根茎段移入添加了0.5~2mg/L 6-BA和0.1mg/L NAA和2.0%蔗糖和8mg/L琼脂的MS培养基,设置温度20~25℃,光照强度1500~3000Lux,光照12h/d,培养10~15天,诱导生芽;

3)增殖培养

将经步骤2)得到的培养物接入分化与增殖培养基中培养20~25天,设置温度20~25℃,光照强度1500~3000Lux,光照12h/d,以获得更多的密刺苦草的芽;分化与增殖培养基为每升MS培养基中含有1.0mg 6-BA和0.1mg NAA和2.0%蔗糖和8mg琼脂;

4)生根培养

将步骤3)获得的密刺苦草芽转接于生根培养液中诱导生根,设置温度20~25℃,光照强度1500~3000Lux,光照12h/d,培养10~15天即可得到密刺苦草苗,生根培养液为添加了0.5~1mg/L IBA和0.1mg/L 6-BA和2.0%蔗糖和5mg/L琼脂的霍格兰营养液;

5)炼苗

将步骤4)获得的密刺苦草苗移栽到底部铺有经过灭菌的沙石的玻璃培养钵;保持水深20~30cm,每7~10天换水并添加一定量霍格兰营养液以促进其生长;当室外白昼气温18℃以上时,将玻璃培养钵置于室外,直接利用自然太阳光照;否则,将玻璃缸置于温室中,昼夜温度分别保持18℃和25℃以上,并在白天适当补充人工光照。

6)移栽

上述培养保持到密刺苦草植株长至25cm以上即可移栽到待修复水体。

2.根据权利要求1所述的一种激素诱导密刺苦草工程苗的快繁方法,其特征是,所述的步骤1)中密刺苦草根茎段消毒过程为先用70~75%的酒精浸泡5~10分钟,然后用9~10%的次氯酸钠溶液浸泡5~30分钟,最后用无菌水冲洗4~5次,每次2~3分钟。

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