[发明专利]一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法

权利要求书

1.一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法，其特征在于，所述抗辐射加固文件生成方法，包括：

步骤S10，上位机选择需要被加固的目标FPGA器件的型号和数量；

步骤S20，上位机根据目标FPGA器件的型号获取目标FPGA器件的配置位流文件；

步骤S30，上位机配置用来存储目标FPGA器件配置位流文件的外部存储器的类型和型号；

步骤S40，上位机依据外部存储器的类型、型号和目标FPGA器件配置位流文件，设置校验模式，并依据该校验模式按照设定数据格式将目标FPGA器件的配置位流文件组装到存储文件中；

所述步骤S40中的组装存储文件的过程，包括如下步骤：

步骤S401，新建存储文件；

步骤S402，将第一片目标FPGA器件为当前目标FPGA器件；

步骤S403，提取当前目标FPGA器件的ID及识别目标FPGA的型号；读取当前目标FPGA器件的原始配置位流文件；

步骤S404，将FPGA器件的配置指令写入存储文件；该配置指令中包含FPGA的型号和FPGA器件ID；

步骤S405，将FPGA器件的配置位流文件内容写入存储文件；

步骤S406，将存储文件的大小变为整数MB，不足的位用自定义字节补满；

步骤S407，写入同步字和回读指令；

步骤S408，写入校验值；该校验值根据所述校验模式生成；

步骤S409，继续将存储文件补满为整数MB，完成当前FPGA器件存储文件的组装；

步骤S410，判断所有目标FPGA器件的存储器文件是否组装完成，若没有，则执行步骤S411，置下一个FPGA器件为当前目标FPGA器件，并重复步骤S403～S410；若完成所有FPGA器件的存储器文件的组装，则执行步骤S412；

步骤S412，写入监控配置参数到package.bit存储文件；

步骤S413，保存和关闭package.bit存储文件

步骤S50，根据外部存储器类型和型号，确定外部存储器每个存储块的存储容量，并根据每个存储块的存储容量将存储文件拆分，并将形成的拆分文件存入外部存储器的存储块中；

步骤S60，将每个拆分文件生成外部存储器烧录文件。

2.根据权利要求1所述的一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法，其特征在于，所述步骤S40中的设定数据格式为：

第一片FPGA器件的数据+······+第N片FPGA器件的数据+监控配置参数，N为自然数；其中每一片FPGA器件的数据格式为：配置指令+配置位流+同步字+回读指令+校验值。

3.根据权利要求2所述的一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法，其特征在于，所述监控配置参数包括：

单片FPGA的配置长度、帧长度、回读位流偏移字节，即回读位流有效位置、回读帧数、动态重配置帧数、动态重配置指令长度、回读指令长度、位流前字节数、空帧数、同步字、单片监控储存长度、目标FPGA器件的数量、外部存储器类型、外部存储器初始地址、配置接口和配置参数储存位置。

4.根据权利要求1所述的一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法，其特征在于，步骤S50中，将所述拆分文件存入外部存储器的存储块中，每存满一个存储块才使用下一个存储块，直到所有的拆分文件存完为止。

5.根据权利要求1所述的一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法，其特征在于，所述外部存储器的类型包括PROM存储器和/或Flash存储器。