[发明专利]一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法

说明书

本发明提供一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法，其中，上位机选择需被加固目标FPGA器件的型号和数量，并获取其配置位流文件；配置用来存储配置位流文件的外部存储器的类型和型号；设置校验模式，并依据该校验模式按照设定数据格式将FPGA配置位流文件组装到存储文件中；根据外部存储器类型和型号，确定外部存储器每个存储块的存储容量，并根据每个存储块的存储容量将存储文件拆分，并将形成的拆分文件存入存储块中；将每个拆分文件生成外部存储器烧录文件。本发明实现了针对多个目标FPGA器件生成抗辐射加固文件的方法，从而能够保证目标FPGA的有效配置、检错、纠错及刷新，进而能有效提升SRAM型FPGA的可靠性。

技术领域

本发明涉及抗辐射加固技术领域，尤其涉及一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法。

背景技术

随着CMOS工艺尺寸的缩小，工作在空间环境的集成电路受单粒子错误带来的失效问题影响愈来愈严重。未来数据中继卫星、宽带通讯卫星、遥感卫星、无线电侦察卫星、导航卫星、预警卫星等都需要性能强大的星载处理平台(OPP，On-board ProcessingPlatforms)以确保太空支援能力，这些星载处理平台主要由FPGA、DSP、ADC、DAC等芯片为主要元器件搭建。而这些大规模集成电路器件，尤其是SRAM-FPGA极易受空间单粒子效应的影响。空间单粒子效应的存在严重威胁着航天器的可靠性和工作寿命。

SRAM型FPGA是卫星信号处理的核心器件，其进行加固设计技术的研究历来受到航天行业的重视。现在经常采用的加固设计方法是在采用外部存储器保存FPGA的配置位流，最常见的外部存储器是PROM存储器、Flash存储器等。当FPGA的监控单元检测到FPGA发生翻转或者运行状态异常时，启动刷新进程，从外部存储器中读取配置位流，对FPGA进行重配置。此过程中，外部存储器中所存储的重配置文件，包含了重配置的信息，其格式和读取方式需保证目标FPGA的有效配置、检错、纠错及刷新。

上述现有技术中虽然公开了利用外部存储器的配置实现目标FPGA的加固，但是并没有给出如何生成外部存储器中的加固文件，也没有规定加固文件的数据格式。

发明内容

本发明针对上述现有技术中没有生成加固文件的相关技术的问题，提出了一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法，其利用外部存储器存储文件对FPGA加固影响，完成了针对多个目标FPGA器件生成抗辐射加固文件，从而能够有效提升SRAM型FPGA的可靠性。

本发明提供一种SRAM型FPGA抗辐射加固文件生成方法，其包括：

步骤S10，上位机选择需要被加固的目标FPGA器件的型号和数量；

步骤S20，上位机根据目标FPGA器件的型号获取目标FPGA器件的配置位流文件；

步骤S30，上位机配置用来存储目标FPGA器件配置位流文件的外部存储器的类型和型号；

步骤S40，上位机依据外部存储器的类型、型号和目标FPGA器件配置位流文件，设置校验模式，并依据该校验模式按照设定数据格式将目标FPGA器件的配置位流文件组装到存储文件中；

步骤S50，根据外部存储器类型和型号，确定外部存储器每个存储块的存储容量，并根据每个存储块的存储容量将存储文件拆分，并将形成的拆分文件存入外部存储器的存储块中；

步骤S60，将每个拆分文件生成外部存储器烧录文件。

更优选地，所述步骤S40中的组装存储文件的过程，包括如下步骤：

步骤S401，新建存储文件(package.bit文件)；

步骤S402，将第一片目标FPGA器件为当前目标FPGA器件。