[发明专利]顶发射白光OLED显示装置有效
| 申请号： | 201710823036.3 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107634084B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李梦真;刘玉成;罗志忠;高松 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 白光 oled 显示装置 | ||
1.一种顶发射白光OLED显示装置，其特征在于，包括反射型基板以及设置在所述反射型基板上的R像素区OLED、G像素区OLED、B像素区OLED、W像素区OLED，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED及所述W像素区OLED均包括靠近所述反射型基板设置的第一电极、远离所述反射型基板设置的第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层以及位于所述反射型基板与所述第二电极之间的光程控制层，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED及所述B像素区OLED的第二电极为半反半透电极，所述W像素区OLED的第二电极为透明电极，所述B像素区OLED与所述W像素区OLED相邻且光程控制层的厚度相等，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED的光程控制层的厚度依次递减。
2.如权利要求1所述的顶发射白光OLED显示装置，其特征在于，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED及所述B像素区OLED的半反半透电极层的厚度相等。
3.如权利要求1所述的顶发射白光OLED显示装置，其特征在于，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED在所述第二电极的远离所述反射型基板的一侧均设置有透明电极，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED的透明电极与所述W像素区OLED的透明电极的厚度相等。
4.如权利要求1所述的顶发射白光OLED显示装置，其特征在于，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED及所述W像素区OLED的光程控制层均位于所述反射型基板与第一电极之间。
5.如权利要求4所述的顶发射白光OLED显示装置，其特征在于，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED及所述W像素区OLED的光程控制层与第一电极均采用ITO制成。
6.如权利要求1所述的顶发射白光OLED显示装置，其特征在于，所述反射型基板为银基板或镀银基板。
7.如权利要求1所述的顶发射白光OLED显示装置，其特征在于，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED及所述W像素区OLED位于所述反射型基板与彩色滤光膜之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
