[发明专利]顶发射白光OLED显示装置

说明书

一种顶发射白光OLED显示装置，包括反射型基板以及R像素区OLED、G像素区OLED、B像素区OLED、W像素区OLED，R像素区OLED、G像素区OLED、B像素区OLED及W像素区OLED均包括靠近反射型基板设置的第一电极、远离反射型基板设置的第二电极、位于第一电极与第二电极之间的有机层以及位于反射型基板与第二电极之间的光程控制层，R像素区OLED、G像素区OLED及B像素区OLED的第二电极为半反半透电极，W像素区OLED的第二电极为透明电极。本发明的顶发射白光OLED显示装置在R像素区OLED、G像素区OLED、B像素区OLED中同时设置半反半透电极和光程控制层以形成可提高单色光的外量子效率的微腔结构，在W像素区OLED采用透明顶电极而不有微腔结构，从整体上有效提高白光OLED的外量子效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是关于一种顶发射白光OLED显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)由于同时具备自发光、不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。

利用白光OLED结合CF(Color Filter，彩色滤光膜)共同实现屏幕颜色显示是目前常用的一种OLED显示技术，该项技术的关键在于获得高外量子效率和高纯度的白光，然而，现有的白光OLED+CF显示技术通常采用底发射型OLED，这使得器件发出的光只有一部分可以从驱动面板上设计的开口射出，开口率与效率均较低，并且需要借助高色域的CF来提高色饱和度，虽然采用顶发射型OLED可以提高开口率，但由于存在微腔效应，只有特定波长的光符合共振模式后才可以出射，很难制备出具有高外量子效率的顶发射白光OLED。

发明内容

本发明的目的在于提供一种顶发射白光OLED显示装置，可提高白光OLED的外量子效率，实现高性能的WRGB四色显示。

本发明提供一种顶发射白光OLED显示装置，包括反射型基板以及设置在所述反射型基板上的R像素区OLED、G像素区OLED、B像素区OLED、W像素区OLED，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED及所述W像素区OLED均包括靠近所述反射型基板设置的第一电极、远离所述反射型基板设置的第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层以及位于所述反射型基板与所述第二电极之间的光程控制层，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED及所述B像素区OLED的第二电极为半反半透电极，所述W像素区OLED的第二电极为透明电极。

进一步地，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED及所述B像素区OLED的半反半透电极层的厚度相等。

进一步地，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED在所述第二电极的远离所述反射型基板的一侧均设置有透明电极，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED的透明电极与所述W像素区OLED的透明电极的厚度相等。

进一步地，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED的其中之一与所述W像素区OLED相邻且光程控制层的厚度相等。

进一步地，所述B像素区OLED与所述W像素区OLED相邻且光程控制层的厚度相等。

进一步地，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED的光程控制层之间厚度依次递减。

进一步地，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED及所述W像素区OLED的光程控制层均位于所述反射型基板与第一电极之间。

进一步地，所述R像素区OLED、所述G像素区OLED、所述B像素区OLED及所述W像素区OLED的光程控制层与第一电极均采用ITO制成。