[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

电路块，所述电路块包括至少MOSFET并具有两种工作模式，这两种工作模式即操作模式和待机模式；

电压生成电路，被配置为生成并输出预定输出电压；以及

偏置控制电路，耦合在所述电路块和所述电压生成电路之间并且被配置为从所述电压生成电路接收所述预定输出电压，并且所述偏置控制电路还被配置为在所述电路块处于所述操作模式时存储电荷，当所述电路块从所述操作模式转变到所述待机模式时，将所存储的电荷供应给包括在所述电路块中的所述MOSFET的衬底，随后将所述预定输出电压供应给所述MOSFET的所述衬底，所述偏置控制电路包括至少一个电容器，所述至少一个电容器被配置为在所述操作模式和所述待机模式下选择性地耦合到所述电压生成电路的输出，

其中所述预定输出电压是在所述待机模式下所述MOSFET的所述衬底的反向偏置电压。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述电路块包括n型MOSFET和p型MOSFET，

其中所述电压生成电路包括：

所述电压生成电路的第一部分，该第一部分输出第一预定输出电压，所述第一预定输出电压是在所述待机模式下所述n型MOSFET的衬底的反向偏置电压；

所述电压生成电路的第二部分，该第二部分输出第二预定输出电压，所述第二预定输出电压是在所述待机模式下所述p型MOSFET的衬底的反向偏置电压，

其中所述偏置控制电路包括：

所述偏置控制电路的第一部分，该第一部分在所述电路块处于所述操作模式时存储电荷，当所述电路块从所述操作模式转变到所述待机模式时，将所存储的电荷供应给包括在所述电路块中的所述n型MOSFET的衬底，并随后将所述第一预定输出电压供应给所述n型MOSFET的衬底；以及

所述偏置控制电路的第二部分，该第二部分在所述电路块处于所述操作模式时存储电荷，当所述电路块从所述操作模式转变到所述待机模式时，将所存储的电荷供应给包括在所述电路块中的所述p型MOSFET的衬底，并随后将所述第二预定输出电压供应给所述p型MOSFET的衬底。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中当所述电路块从所述待机模式转变到所述操作模式时，所述偏置控制电路将存储在所述MOSFET的所述衬底中的电荷供应给电容器，并且随后将所述MOSFET的所述衬底耦合到第二电压的供应源，所述第二电压是在所述操作模式下所述MOSFET的所述衬底的反向偏置电压。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中所述偏置控制电路还包括第一开关和第二开关，所述电容器设置在第一节点和所述第二电压的供应源之间，所述第一开关被配置为选择性地打开或闭合所述第一节点和所述电压生成电路的输出之间的路径，所述第二开关被配置为选择性地将所述MOSFET的所述衬底耦合到所述电压生成电路、所述第一节点或所述第二电压的供应源。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，在所述操作模式中，所述第一开关打开所述路径，并且所述第二开关将所述MOSFET的所述衬底耦合到所述第二电压的供应源，

其中，在接收到用于从所述操作模式转变到所述待机模式的指令时，所述第一开关闭合所述路径，并且所述第二开关首先将所述MOSFET的所述衬底耦合到所述第一节点，然后将所述MOSFET的所述衬底耦合到所述电压生成电路，以及

其中，在接收到从所述待机模式转变到所述操作模式的指令时，所述第一开关闭合所述路径，并且所述第二开关将所述MOSFET的所述衬底耦合到所述第一节点，随后所述第一开关打开所述路径，并且所述第二开关将所述MOSFET的所述衬底耦合到所述第二电压的供应源。