[发明专利]具有智能温度感测和局部限制的非易失性存储器有效
申请号: | 201710825499.3 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107958677B | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | N·N·杨;G·沙阿;P·罗伊斯威格;D·瓦伊斯曼 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C7/04 | 分类号: | G11C7/04;G11C16/34;G06F12/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 万里晴 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 智能 温度 局部 限制 非易失性存储器 | ||
一种非易失性存储设备包括控制器、一个或多个存储器封装、系统温度传感器和一个或多个存储器温度传感器。系统温度传感器位于控制器处或控制器上。一个或多个存储器温度传感器中的每一个位于所述一个或多个存储器封装中的一个处。控制器使用系统温度传感器监测系统温度。如果系统温度高于第一阈值,则使用一个或多个存储器温度传感器在存储器封装处感测温度。如果它们的温度超过第二个阈值,单独的存储器封装将使得其性能被限制。
技术领域
本公开涉及具有智能温度感测和局部限制的非易失性存储器和操作该非易失性存储器的方法。
背景技术
半导体存储器广泛用于诸如蜂窝电话、数字照相机、个人数字助理、医疗电子、移动计算设备、服务器和非移动计算设备的各种电子设备中。半导体存储器可包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如电池)时,非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性存储器的示例包括闪存(例如NAND型和NOR型闪存)和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。
存储器系统可用于存储由主机设备或其他实体提供的数据。该数据然后可以响应于读请求而被读回和提供。存储在存储器系统中的数据不会丢失是很重要的。此外,用户在使用存储器系统时需要高性能。
发明内容
本发明构思的一些方面提供了非易失性存储设备和用于操作非易失性存储系统的方法。
通过参照以下给出的本发明构思的详细描述,本发明构思的上述和其他方面对于本发明构思所属领域的技术人员将变得更加明显。根据本发明构思的一些实施例,一种非易失性存储设备包括:一个或多个控制电路;连接到一个或多个控制电路的一个或多个存储器封装;连接到一个或多个控制电路的系统温度传感器;系统温度传感器离开一个或多个存储器封装中的每一个;以及连接到一个或多个控制电路的一个或多个存储器温度传感器,一个或多个存储器温度传感器中的每一个位于一个或多个存储器封装中的一个处。一个或多个控制电路可以被配置为使用系统温度传感器检测系统温度。一个或多个控制电路可以被配置为响应于确定系统温度超过第一阈值,使用一个或多个存储器温度传感器来确定一个或多个存储器封装中的每一个的一个或多个存储器温度数据值。一个或多个控制电路可以被配置为单独地限制其温度数据值超过第二阈值的一个或多个存储器封装的性能。
根据本发明构思的一些实施例,一种操作非易失性存储系统的方法包括:监测非易失性存储系统的控制器处的温度,并确定控制器处的温度是否超过第一阈值;响应于确定所述控制器处的监测的温度超过第一阈值,感测非易失性存储系统的第一存储器裸芯处的温度并确定在第一存储器裸芯处感测的温度是否大于第二阈值;并且响应于确定在第一存储器裸芯处感测的温度大于第二阈值,从而限制存储器裸芯的性能。
本发明构思的这些和其它方面、特征和优点可从本发明的某些实施方案和附图和权利要求的描述中理解。
附图描述
在不同的附图中相同编号的元件是指共同的组件。
图1是3D堆叠的非易失性存储器器件的透视图。
图2是诸如图1的3D堆叠的非易失性存储器器件100的存储器器件的功能框图。
图3是描绘存储器系统的一个实施例的框图。
图3A是描绘存储器系统的一个实施例的框图。
图4是单片三维存储器结构的一个实施例的一部分的透视图。
图4A是具有两个平面的存储器结构的框图。
图4B是描绘存储器单元的块的一部分的俯视图。
图4C是描绘存储器单元的块的一部分的横截面图。
图4D是描绘选择栅极层和字线层的视图。
图4E是存储器单元的垂直列的横截面图。
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