[发明专利]制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置在审
| 申请号： | 201710827374.4 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN108807536A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨;谢振宇;许哲源;吴明园;郑旭傑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/66;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鳍式结构 鳍式场效晶体管 虚设栅极结构 半导体装置 制造 蚀刻制程 沉积层 包覆 基板 减小 介电 移除 暴露 | ||
1.一种制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：
在一基板上形成一鳍式结构；
形成一包覆该鳍式结构的虚设栅极结构；
量测该鳍式结构的一宽度；
在该鳍式结构上方沉积一层间介电层；
移除该虚设栅极结构；以及
对于确定该宽度超过一预定阈值宽度值做出反应，而对该鳍式结构的一暴露部分执行一蚀刻制程，以减小该鳍式结构的该暴露部分的一宽度。
2.如权利要求1所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，进一步包含，在该鳍式结构的该暴露部分上方沉积一介电材料。
3.如权利要求2所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，进一步包含，在该介电材料上方沉积一金属栅极层。
4.如权利要求1所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，进一步包含，在移除该虚设栅极结构之前，在该虚设栅极结构的两侧上的该鳍式结构内形成源极/漏极区。
5.如权利要求1所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，在该蚀刻制程之后，在该鳍式结构的该暴露部分与该鳍式结构的一未暴露部分之间的该鳍式结构的一宽度逐渐地变化。
6.一种制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：
在一基板上形成一鳍式结构；
形成一包覆该鳍式结构的虚设栅极结构；
在该鳍式结构上方沉积一层间介电层；
移除该虚设栅极结构以暴露该鳍式结构的一部分；以及
对该鳍式结构的该部分执行一移除制程以减小该鳍式结构的该部分的一宽度。
7.如权利要求6所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，进一步包含，在执行该移除制程之前，量测该鳍式结构的一宽度。
8.如权利要求7所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，执行该移除制程是对于确定在该移除制程之前的该鳍式结构的该宽度超过一预定阈值宽度值所做出的反应。
9.如权利要求7所述的制造鳍式场效晶体管的方法，其特征在于，该移除制程包含对该鳍式结构的一暴露部分执行一氧化制程以自该鳍式结构的该暴露部分的外部部分产生一氧化物材料层。
10.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一基板；
一鳍式结构，设置在该基板上，该鳍式结构具有一第一宽度；以及
一栅极结构，包覆该鳍式结构；
其中在该栅极结构的一第一边缘与该栅极结构的一第二边缘之间的该鳍式结构的一部分具有小于该第一宽度的一第二宽度。
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