[发明专利]在三栅极(FINFET)工艺上集成多个栅极电介质晶体管的方法

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括：

第一主体，其至少具有顶部、第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁；

第一栅极电介质结构，其覆盖所述第一主体的所述顶部以及所述第一侧壁和所述第二侧壁的至少一部分，所述第一栅极电介质结构包括由第一栅极电介质材料构成的第一电介质层；

第一栅极电极结构，其覆盖所述顶部以及所述第一侧壁和所述第二侧壁的至少一部分上的所述第一栅极电介质结构的至少一部分，所述第一栅极电极结构包括由第一电极材料构成的第一电极层；

位于所述第一栅极电极结构的相对侧上的第一源极区和第一漏极区；以及

第二晶体管，所述第二晶体管包括：

第二主体，其至少具有顶部、第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁；

第二栅极电介质结构，其覆盖所述第二主体的所述顶部以及所述第一侧壁和所述第二侧壁的至少一部分；

第二栅极电极结构，其覆盖所述顶部以及所述第一侧壁和所述第二侧壁的至少一部分上的所述第二栅极电介质结构的至少一部分，所述第二栅极电极结构包括由所述第一电极材料构成的第二电极层；

位于所述第二栅极电极结构的相对侧上的第二源极区和第二漏极区，

其中所述第一栅极电介质结构包括由第二栅极电介质材料构成的第三电介质层，所述第一栅极电介质结构的所述第一电介质层的至少一部分处于所述第三电介质层与所述第一主体之间；并且所述第二栅极电介质结构包括由所述第二栅极电介质材料构成的第四电介质层，所述第二栅极电介质结构的所述第四电介质层的至少一部分处于所述第二栅极电极结构与所述第二主体之间。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一栅极电介质材料包括硅和氧。

3.根据权利要求1或2所述的电子装置，其中所述第二栅极电介质材料包括高k值电介质材料。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述第二栅极电介质材料包括铪和氧。

5.一种电子装置，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括：

第一半导体鳍状物，其具有顶部、第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁；

第一栅极电介质结构，其环绕所述第一半导体鳍状物的所述第一侧壁的至少一部分、所述第二侧壁的至少一部分以及所述顶部的至少一部分并且与所述第一半导体鳍状物接触，所述第一栅极电介质结构包括由第一电介质材料构成且与所述第一半导体鳍状物的所述顶部、所述第一侧壁和所述第二侧壁接触的第一层，并且所述第一栅极电介质结构包括由第二电介质材料构成的第二层，所述第二层位于由所述第一电介质材料构成的与所述第一半导体鳍状物的所述顶部、所述第一侧壁和所述第二侧壁接触的所述第一层的一部分上；

第一栅极电极结构，其环绕所述第一半导体鳍状物的所述第一侧壁的至少一部分、所述第二侧壁的至少一部分以及所述顶部的至少一部分，其中所述第一栅极电介质结构的至少一部分处于所述第一半导体鳍状物的至少一部分与所述第一栅极电极结构的至少一部分之间；

所述第一栅极电极结构的第一侧的第一源极区；以及

所述第一栅极电极结构的第二侧的第一漏极区，所述第一栅极电极结构的所述第二侧与所述第一栅极电极结构的所述第一侧相对；以及

与所述第一晶体管隔离的第二晶体管，所述第二晶体管包括：

第二半导体鳍状物，其具有顶部、第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁；

第二栅极电介质结构，其环绕所述第二半导体鳍状物的所述第一侧壁的至少一部分、所述第二侧壁的至少一部分以及所述顶部的至少一部分并且与所述第二半导体鳍状物接触，所述第二栅极电介质结构包括第二层，所述第二栅极电介质结构的所述第二层包括位于所述第二半导体鳍状物的所述顶部、所述第一侧壁和所述第二侧壁上的所述第二电介质材料；

第二栅极电极结构，其环绕所述第二半导体鳍状物的所述第一侧壁的至少一部分、所述第二侧壁的至少一部分以及所述顶部的至少一部分，其中所述第二栅极电介质结构的至少一部分处于所述第二半导体鳍状物的至少一部分与所述第二栅极电极结构的至少一部分之间；

所述第二栅极电极结构的第一侧的第二源极区；以及

所述第二栅极电极结构的第二侧的第二漏极区，所述第二栅极电极结构的所述第二侧与所述第二栅极电极结构的所述第一侧相对。