[发明专利]一种合金热电半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710827678.0 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107799646B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 裴艳中;李文;李娟 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合金 热电 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种合金热电半导体材料(GeTe)1-x(PbSe)x，其特征在于，其化学式为(GeTe)1-x(PbSe)x，其中，x＝0.27。
2.如权利要求1所述的一种合金热电半导体材料(GeTe)1-x(PbSe)x的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)真空封装：
以纯度大于99.99％的单质元素Ge、Te、Pb、Se按化学计量比进行配料，并按密度从小到大依次装入石英安瓿中，用抽真空后进行封装；
(2)熔融淬火：
将石英安瓿置于井式炉中加热，使原料在熔融状态下反应，随后淬火，得到第一铸锭；
(3)退火淬火：
再将第一铸锭置于井式炉中加热，高温退火，再淬火，得到第二铸锭；
(4)热压烧结：
将第二铸锭研磨成粉末，置于石墨模具中，真空热压烧结，降温，得到片状块体材料，即为所述合金热电半导体材料(GeTe)1-x(PbSe)x。
3.根据权利要求2所述的一种合金热电半导体材料(GeTe)1-x(PbSe)x的制备方法，其特征在于，步骤(2)中：
加热、反应的过程具体为：以150～200℃/h的速率将石英安瓿从室温升温至900～1000℃，并保温6～12小时。
4.根据权利要求2所述的一种合金热电半导体材料(GeTe)1-x(PbSe)x的制备方法，其特征在于，步骤(3)中：
加热、高温退火的过程具体为：以150～200℃/h的速率将石英安瓿从室温升温至550～600℃并保温2～4天。
5.根据权利要求2所述的一种合金热电半导体材料(GeTe)1-x(PbSe)x的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，真空热压烧结的过程具体为：在真空条件下，以100～300℃/min的速率升温至550～600℃，调节压力为50～70MPa，并恒温恒压处理40min。
6.根据权利要求5所述的一种合金热电半导体材料(GeTe)1-x(PbSe)x的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，烧结温度升温至587℃，烧结所用压力为60MPa。
7.根据权利要求2所述的一种合金热电半导体材料(GeTe)1-x(PbSe)x的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，降温过程具体为：以20～30℃/min的速度降至室温。
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