[发明专利]一种TFT器件及液晶显示面板的静电保护电路有效
| 申请号： | 201710828976.1 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107664889B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 赵阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H02H9/04;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tft 器件 液晶显示 面板 静电 保护 电路 | ||
1.一种TFT器件，其特征在于，包括：
玻璃基板；
栅极金属，制备于所述玻璃基板表面；
栅绝缘层，制备于所述玻璃基板表面，且覆盖所述栅极金属；
IGZO层，制备于所述栅绝缘层表面；
源极金属、漏极金属，制备于所述IGZO层表面，所述源极金属与所述漏极金属之间形成有沟道区域；以及，
衍射金属，制备于所述IGZO层表面，且位于所述沟道区域内。
2.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述衍射金属覆盖所述IGZO层表面的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述IGZO层为长方形，所述IGZO层包括平行于所述IGZO层的短边的第一维度，以及平行于所述IGZO层的长边的第二维度，所述衍射金属在所述IGZO层的第一维度上覆盖所述IGZO层。
4.根据权利要求3所述的TFT器件，其特征在于，所述衍射金属为长方形，所述衍射金属包括长边以及短边，所述衍射金属的长边平行于所述IGZO层的第一维度。
5.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述衍射金属位于所述沟道区域的中间位置。
6.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述IGZO层表面制备有至少一个所述衍射金属。
7.根据权利要求6所述的TFT器件，其特征在于，所述IGZO层表面制备有间隔设置的第一衍射金属与第二衍射金属，所述第一衍射金属靠近所述源极金属设置，所述第二衍射金属靠近所述漏极金属设置，其中，所述第一衍射金属与所述源极金属的间隔长度，等于所述第二衍射金属与所述漏极金属的间隔长度。
8.根据权利要求1～7任一项权利要求所述的TFT器件，其特征在于，所述衍射金属的长度为7um～9um，所述衍射金属的宽度为4um～6um。
9.一种液晶显示面板的静电保护电路，设置于所述液晶显示面板的像素驱动电路的输入端，其特征在于，所述静电保护电路包括金属走线、以及至少两个串联或者并联的TFT器件；其中，
所述TFT器件包括：
玻璃基板；
栅极金属，制备于所述玻璃基板表面；
栅绝缘层，制备于所述玻璃基板表面，且覆盖所述栅极金属；
IGZO层，制备于所述栅绝缘层表面；
源极金属、漏极金属，制备于所述IGZO层表面，所述源极金属与所述漏极金属之间形成有沟道区域；以及，
衍射金属，制备于所述IGZO层表面，且位于所述沟道区域内。
10.根据权利要求9所述的静电保护电路，其特征在于，所述衍射金属覆盖所述IGZO层表面的至少一部分。
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