[发明专利]一种TFT器件及液晶显示面板的静电保护电路

说明书

本发明提供一种TFT器件，包括：玻璃基板；栅极金属，制备于所述玻璃基板表面；栅绝缘层，制备于所述玻璃基板表面，且覆盖所述栅极金属；IGZO层，制备于所述栅绝缘层表面；源极金属、漏极金属，制备于所述IGZO层表面，所述源极金属与所述漏极金属之间形成有沟道区域；以及，衍射金属，制备于所述IGZO层表面，且位于所述沟道区域内；本发明的有益效果为：本发明提供的IGZO TFT器件，在IGZO层表面设置保护层，避免多次刻蚀工序对IGZO造成过刻蚀。

技术领域

本本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT器件及液晶显示面板的静电保护电路。

背景技术

在TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶显示面板中，存在较多静电破坏，而ESD(Electro-Static discharge，静电释放电路/静电保护电路)，能够让瞬时放电的电流，不会流入液晶显示面板的像素阵列而破坏像素内的TFT器件，即使流入像素阵列，也能避免TFT器件的栅极或源漏极产生很大的电压；因此，在电流进入像素阵列前，会设计由多个TFT串并联产生的防护电路，当有瞬时大电流产生时，会直接流入ESD，以保护像素阵列。

IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)TFT，是指在TFT器件的主动层上，打上一层金属氧化物(IGZO)，使得TFT器件的沟道载流子迁移率大幅提高，进而提高像素的响应速度。

在IGZO4 MASK(IGZO TFT 4道光罩工序制程)中，由于TFT的沟道较大，源、漏极金属与IGZO层为同一道光罩，并经过3次刻蚀，多次刻蚀会导致IGZO层被过刻蚀，从而影响TFT器件的性能。

综上所述，现有技术的IGZO TFT的制备工艺中，IGZO层经多次刻蚀后会导致过刻蚀，会影响TFT器件的性能，进而影响液晶显示面板的像素反应速度。

发明内容

本发明提供一种TFT器件，能够在IGZO层的刻蚀制程中，减少IGZO层经多次刻蚀后的过刻蚀程度，进而保护IGZO层的完整度；以解决现有的IGZO TFT制备工艺中，IGZO层经多次刻蚀后导致的过刻蚀的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种TFT器件，包括：

玻璃基板；

栅极金属，制备于所述玻璃基板表面；

栅绝缘层，制备于所述玻璃基板表面，且覆盖所述栅极金属；

IGZO层，制备于所述栅绝缘层表面；

源极金属、漏极金属，制备于所述IGZO层表面，所述源极金属与所述漏极金属之间形成有沟道区域；以及，

衍射金属，制备于所述IGZO层表面，且位于所述沟道区域内。

根据本发明一优选实施例，所述衍射金属覆盖所述IGZO层表面的至少一部分。

根据本发明一优选实施例，所述IGZO层为长方形，所述IGZO层包括平行于所述IGZO层的短边的第一维度，以及平行于所述IGZO层的长边的第二维度，所述衍射金属在所述IGZO层的第一维度上覆盖所述IGZO层。

根据本发明一优选实施例，所述衍射金属为长方形，所述衍射金属包括长边以及短边，所述衍射金属的长边平行于所述IGZO层的第一维度。

根据本发明一优选实施例，所述衍射金属位于所述沟道区域的中间位置。

根据本发明一优选实施例，所述IGZO层表面制备有至少一个所述衍射金属。