[发明专利]纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料的制备方法

权利要求书

1.一种纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料的制备方法，包括以下步骤：

（1）制备纳米多孔金薄膜：

取Au₃₅Ag₆₅合金薄膜进行脱合金化处理，得到具有纳米多孔结构的纳米多孔金薄膜；所述步骤（1）中，所述脱合金化处理的过程如下：将Au₃₅Ag₆₅合金薄膜室温下置于浓度为12mol/L～16mol/L的硝酸溶液中处理30min～120min，得到纳米多孔金薄膜；

（2）制备纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料

将步骤（1）得到的纳米多孔金薄膜采用原子层沉积方法进行处理，以Mn(thd)₃和臭氧为前驱体，反应温度控制在150℃～250℃，抽真空至0.6Torr～2Torr，Mn(thd)₃脉冲0.5s～5s，N₂清洗5s～15s，O₃脉冲0.01s～0.05s，N₂清洗15s～30s，如此沉积500～5000个循环，在纳米多孔金薄膜的内外表面均匀沉积二氧化锰，沉积完成后，得到纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料；所述步骤（2）中，纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料的厚度为105nm～150nm。

2.根据权利要求1所述的纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，得到纳米多孔金薄膜后，先用去离子水清洗，然后用无水乙醇清洗，再将洁净的纳米多孔金薄膜室温下进行干燥备用。

3.根据权利要求1或2所述的纳米多孔金/二氧化锰复合电极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，纳米多孔金薄膜的平均孔径为30nm～60nm。